A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, MANUFACTURING METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM
Provided is an oxide semiconductor thin film for which only carrier concentration has been reduced while maintaining a high carrier mobility, as well as a manufacturing method therefor. Provided is an amorphous oxide semiconductor thin film that includes indium and gallium as oxides, further includes hydrogen, has a gallium content such that the molecular ratio Ga/(In+Ga) is 0.15 to 0.55, and has a hydrogen content as measured by secondary ion mass spectrometry of 1.0×1020 atoms/cm3 to 1.0×1022 atoms/cm3.
L'invention concerne une couche mince de semi-conducteur à oxyde pour laquelle seule la concentration en porteur de charge a été réduite tout en conservant une grande mobilité de porteur de charge, ainsi que son procédé de fabrication. L'invention concerne une couche mince de semi-conducteur à oxyde amorphe qui comprend de l'indium et du gallium sous forme d'oxydes, qui comprend également de l'hydrogène, qui présente une teneur en gallium telle que le rapport moléculaire Ga/(In + Ga) est de 0,15 à 0,55, et a une teneur en hydrogène telle que mesurée par spectrométrie de masse d'ions secondaires de 1,0 × 1020 atomes/cm3 à 1,0 × 10 22 atomes/cm3.
高いキャリア移動度を維持したまま、キャリア濃度のみを低減せしめた酸化物半導体薄膜及びその製造方法を提供すること。 インジウム及びガリウムを酸化物として含有し、さらに水素を含有し、ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１５以上０．５５以下であり、水素の含有量が、二次イオン質量分析法で１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である非晶質の酸化物半導体薄膜である。
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, MANUFACTURING METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM
Provided is an oxide semiconductor thin film for which only carrier concentration has been reduced while maintaining a high carrier mobility, as well as a manufacturing method therefor. Provided is an amorphous oxide semiconductor thin film that includes indium and gallium as oxides, further includes hydrogen, has a gallium content such that the molecular ratio Ga/(In+Ga) is 0.15 to 0.55, and has a hydrogen content as measured by secondary ion mass spectrometry of 1.0×1020 atoms/cm3 to 1.0×1022 atoms/cm3.
L'invention concerne une couche mince de semi-conducteur à oxyde pour laquelle seule la concentration en porteur de charge a été réduite tout en conservant une grande mobilité de porteur de charge, ainsi que son procédé de fabrication. L'invention concerne une couche mince de semi-conducteur à oxyde amorphe qui comprend de l'indium et du gallium sous forme d'oxydes, qui comprend également de l'hydrogène, qui présente une teneur en gallium telle que le rapport moléculaire Ga/(In + Ga) est de 0,15 à 0,55, et a une teneur en hydrogène telle que mesurée par spectrométrie de masse d'ions secondaires de 1,0 × 1020 atomes/cm3 à 1,0 × 10 22 atomes/cm3.
高いキャリア移動度を維持したまま、キャリア濃度のみを低減せしめた酸化物半導体薄膜及びその製造方法を提供すること。 インジウム及びガリウムを酸化物として含有し、さらに水素を含有し、ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１５以上０．５５以下であり、水素の含有量が、二次イオン質量分析法で１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である非晶質の酸化物半導体薄膜である。
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, MANUFACTURING METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM
COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE, ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES UTILISANT UNE COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE
酸化物半導体薄膜、酸化物半導体薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ
NAKAYAMA TOKUYUKI (author) / NISHIMURA EIICHIRO (author) / MATSUMURA FUMIHIKO (author) / SHIRAKI MANA (author)
2017-09-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2018
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
| European Patent Office | 2018
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2016
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2016
OXIDE SINTERED BODY, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND THIN FILM TRANSISTOR
| European Patent Office | 2015