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SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE, SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE SHEET, CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE
Provided are: a large-size silicon nitride sintered substrate; and a method for producing same. This silicon nitride sintered substrate has a main surface 101a formed to be larger than a square of which one side is 120 mm, wherein the ratio dc/de of the density dc in a central part of the main surface 101a to the density de in a peripheral part thereof is 0.98 or more, and the central part of the main surface 101a has a void fraction vc of 1.80% or lower whereas the peripheral part has a void fraction ve of 1.00% or lower. The density dc in the central part is preferably 3.120 g/cm3 or more; the density de in the peripheral part is preferably 3.160 g/cm3 or more; and the ratio ve/vc between the void fraction vc in the central part and the void fraction ve in the peripheral part is preferably 0.50 or higher.
L'invention concerne : un substrat fritté de nitrure de silicium de grande taille ; et un procédé de production de celui-ci. Ce substrat fritté en nitrure de silicium a une surface principale 101a formée de façon à être plus grande qu'un carré dont un côté est de 120 mm. Le rapport dc/de de la masse volumique dc dans une partie centrale de la surface principale 101a à la masse volumique de dans une partie périphérique de celle-ci est de 0,98 ou plus, et la partie centrale de la surface principale 101a a une porosité vc de 1,80 % ou moins alors que la partie périphérique a une porosité ve de 1,00 % ou moins. La masse volumique dc dans la partie centrale est de préférence de 3,120 g/cm3 ou plus ; la masse volumique de dans la partie périphérique est de préférence de 3,160 g/cm3 ou plus ; et le rapport ve/vc entre la porosité vc dans la partie centrale et la porosité ve dans la partie périphérique est de préférence de 0,50 ou plus.
大型の窒化ケイ素焼結基板およびその製造方法を提供する。窒化ケイ素焼結基板は、１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面１０１ａを有し、主面１０１ａにおける中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ/ｄｅが０．９８以上であり、主面１０１ａにおける中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下である。前記中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ3以上であり、前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ3以上であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上であるのが好ましい。
SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE, SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE SHEET, CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE
Provided are: a large-size silicon nitride sintered substrate; and a method for producing same. This silicon nitride sintered substrate has a main surface 101a formed to be larger than a square of which one side is 120 mm, wherein the ratio dc/de of the density dc in a central part of the main surface 101a to the density de in a peripheral part thereof is 0.98 or more, and the central part of the main surface 101a has a void fraction vc of 1.80% or lower whereas the peripheral part has a void fraction ve of 1.00% or lower. The density dc in the central part is preferably 3.120 g/cm3 or more; the density de in the peripheral part is preferably 3.160 g/cm3 or more; and the ratio ve/vc between the void fraction vc in the central part and the void fraction ve in the peripheral part is preferably 0.50 or higher.
L'invention concerne : un substrat fritté de nitrure de silicium de grande taille ; et un procédé de production de celui-ci. Ce substrat fritté en nitrure de silicium a une surface principale 101a formée de façon à être plus grande qu'un carré dont un côté est de 120 mm. Le rapport dc/de de la masse volumique dc dans une partie centrale de la surface principale 101a à la masse volumique de dans une partie périphérique de celle-ci est de 0,98 ou plus, et la partie centrale de la surface principale 101a a une porosité vc de 1,80 % ou moins alors que la partie périphérique a une porosité ve de 1,00 % ou moins. La masse volumique dc dans la partie centrale est de préférence de 3,120 g/cm3 ou plus ; la masse volumique de dans la partie périphérique est de préférence de 3,160 g/cm3 ou plus ; et le rapport ve/vc entre la porosité vc dans la partie centrale et la porosité ve dans la partie périphérique est de préférence de 0,50 ou plus.
大型の窒化ケイ素焼結基板およびその製造方法を提供する。窒化ケイ素焼結基板は、１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面１０１ａを有し、主面１０１ａにおける中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ/ｄｅが０．９８以上であり、主面１０１ａにおける中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下である。前記中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ3以上であり、前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ3以上であり、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上であるのが好ましい。
SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE, SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE SHEET, CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SILICON NITRIDE SINTERED SUBSTRATE
SUBSTRAT FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM, FEUILLE DE SUBSTRAT FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM, SUBSTRAT DE CIRCUIT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素焼結基板、窒化ケイ素焼結基板片、回路基板および窒化ケイ素焼結基板の製造方法
IMAMURA HISAYUKI (author) / FUJITA SUGURU (author) / KAGA YOUICHIROU (author) / TESHIMA HIROYUKI (author) / HAMAYOSHI SHIGEYUKI (author)
2017-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2019
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
| European Patent Office | 2020