A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The purpose of the present invention is to provide a silicon nitride powder with which it is possible to produce a silicon nitride sintered compact having both high thermal conductivity and high mechanical strength without increasing the ambient pressure during sintering, even without performing a heat treatment after sintering. Provided is a silicon nitride powder characterized by having a specific surface area of 5 m2/g to 20 m2/g, a β-silicon nitride ratio of 70 mass% or more, a D50 of 0.5 μm to 3 μm, a D90 of 3 μm to 6 μm, an Fe content of 200 ppm or less, an Al content of 200 ppm or less, a total metal impurity content other than Fe and Al of 200 ppm or less, a β-silicon nitride crystallite diameter DC of 60 nm or more, a specific surface area equivalent diameter DBET to DC ratio DBET/DC (nm/nm) of 3 or less, and a β-silicon nitride crystal distortion of 1.5 × 10-4 or less.
Le but de la présente invention est de fournir une poudre de nitrure de silicium avec laquelle il est possible de produire un compact fritté de nitrure de silicium ayant à la fois une conductivité thermique élevée et une résistance mécanique élevée sans augmenter la pression ambiante pendant le frittage, même sans effectuer un traitement thermique après frittage. L'invention concerne une poudre de nitrure de silicium caractérisée en ce qu'elle présente une surface spécifique de 5 m2/g à 20 m2/g, un rapport de nitrure de silicium β de 70 % en masse ou plus, un D50 de 0,5 µm à 3 µm, un D90 de 3 µm à 6 µm, une teneur en Fe inférieure ou égale à 200 ppm, une teneur en Al inférieure ou égale à 200 ppm, une teneur totale en impuretés métalliques autres que Fe et Al inférieure ou égale à 200 ppm, un diamètre de cristallite de nitrure de silicium β DC de 60 nm ou plus, un rapport du diamètre équivalent de surface spécifique DBET à DC, DBET/DC (nm/nm), de 3 ou moins, et une distorsion de cristal de nitrure de silicium β de 1,5 × 10-4 ou moins.
焼結時の雰囲気圧力を大きくすることなく、焼結後に熱処理を行わなくても、高い熱伝導率と高い機械的強度を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造することができる窒化ケイ素粉末を提供することを目的とする。比表面積が５ｍ２／ｇ以上２０ｍ２／ｇ以下であり、β型窒化ケイ素の割合が７０質量％以上であり、Ｄ５０が０．５μｍ以上３μｍ以下であり、Ｄ９０が３μｍ以上６μｍ以下であり、Ｆｅの含有割合が２００ｐｐｍ以下であり、Ａｌの含有割合が２００ｐｐｍ以下であり、ＦｅおよびＡｌ以外の金属不純物の含有割合の合計が２００ｐｐｍ以下であり、β型窒化ケイ素の結晶子径ＤＣが６０ｎｍ以上であり、比表面積相当径ＤＢＥＴとＤＣとの比ＤＢＥＴ／ＤＣ（ｎｍ／ｎｍ）が３以下であり、β型窒化ケイ素の結晶歪が１．５×１０－４以下であることを特徴とする窒化ケイ素粉末を提供する。
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The purpose of the present invention is to provide a silicon nitride powder with which it is possible to produce a silicon nitride sintered compact having both high thermal conductivity and high mechanical strength without increasing the ambient pressure during sintering, even without performing a heat treatment after sintering. Provided is a silicon nitride powder characterized by having a specific surface area of 5 m2/g to 20 m2/g, a β-silicon nitride ratio of 70 mass% or more, a D50 of 0.5 μm to 3 μm, a D90 of 3 μm to 6 μm, an Fe content of 200 ppm or less, an Al content of 200 ppm or less, a total metal impurity content other than Fe and Al of 200 ppm or less, a β-silicon nitride crystallite diameter DC of 60 nm or more, a specific surface area equivalent diameter DBET to DC ratio DBET/DC (nm/nm) of 3 or less, and a β-silicon nitride crystal distortion of 1.5 × 10-4 or less.
Le but de la présente invention est de fournir une poudre de nitrure de silicium avec laquelle il est possible de produire un compact fritté de nitrure de silicium ayant à la fois une conductivité thermique élevée et une résistance mécanique élevée sans augmenter la pression ambiante pendant le frittage, même sans effectuer un traitement thermique après frittage. L'invention concerne une poudre de nitrure de silicium caractérisée en ce qu'elle présente une surface spécifique de 5 m2/g à 20 m2/g, un rapport de nitrure de silicium β de 70 % en masse ou plus, un D50 de 0,5 µm à 3 µm, un D90 de 3 µm à 6 µm, une teneur en Fe inférieure ou égale à 200 ppm, une teneur en Al inférieure ou égale à 200 ppm, une teneur totale en impuretés métalliques autres que Fe et Al inférieure ou égale à 200 ppm, un diamètre de cristallite de nitrure de silicium β DC de 60 nm ou plus, un rapport du diamètre équivalent de surface spécifique DBET à DC, DBET/DC (nm/nm), de 3 ou moins, et une distorsion de cristal de nitrure de silicium β de 1,5 × 10-4 ou moins.
焼結時の雰囲気圧力を大きくすることなく、焼結後に熱処理を行わなくても、高い熱伝導率と高い機械的強度を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造することができる窒化ケイ素粉末を提供することを目的とする。比表面積が５ｍ２／ｇ以上２０ｍ２／ｇ以下であり、β型窒化ケイ素の割合が７０質量％以上であり、Ｄ５０が０．５μｍ以上３μｍ以下であり、Ｄ９０が３μｍ以上６μｍ以下であり、Ｆｅの含有割合が２００ｐｐｍ以下であり、Ａｌの含有割合が２００ｐｐｍ以下であり、ＦｅおよびＡｌ以外の金属不純物の含有割合の合計が２００ｐｐｍ以下であり、β型窒化ケイ素の結晶子径ＤＣが６０ｎｍ以上であり、比表面積相当径ＤＢＥＴとＤＣとの比ＤＢＥＴ／ＤＣ（ｎｍ／ｎｍ）が３以下であり、β型窒化ケイ素の結晶歪が１．５×１０－４以下であることを特徴とする窒化ケイ素粉末を提供する。
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM ET MÉTHODE DE PRODUCTION D'UN CORPS FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素粉末および窒化ケイ素焼結体の製造方法
OHMARU TAKUJI (author) / SHIBATA KOJI (author) / YAMAO TAKESHI (author) / YAMADA TETSUO (author)
2018-06-21
Patent
Electronic Resource
Japanese
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2025
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2021
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2025
Silicon nitride powder and method for producing silicon nitride sintered body
| European Patent Office | 2024
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2023