A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
Group 4 transition metal-containing film forming compositions are disclosed comprising Group 4 transition metal precursors having the formula: L2-M-C4AR3-3-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, L2-M-(C3(m-A2)R2-4-[(ER2)m- (ER2)n-L']-, L2-M-(C5AR4-4-[(ER2)m-(ER2)n-L'], and L2-M-(C4(m- A2)R3-4-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, wherein M is Ti, Zr, or Hf; each A is independently N, Si, B or P; each E is independently C, Si, B or P; m and n is independently 0, 1 or 2; m + n >1; each R is independently a H or a C1-C4 hydrocarbon group; each L is independently a -1 anionic ligand selected from the group consisting of NR'2, OR', Cp, amidinate, β- diketonate, or keto-iminate, wherein R' is a H or a C1-C4 hydrocarbon group; and L' is NR" or O, wherein R' is a H or a C1-C4 hydrocarbon group. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.
L'invention concerne des compositions filmogènes contenant un métal de transition du groupe 4 comprenant des précurseurs de métaux de transition du groupe 4 ayant la formule : L2-M-C4AR3-3-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, L2-M-(C3(m-A2)R2-4-[(ER2)m- (ER2)n-L']-, L2-M-(C5AR4-4-[(ER2)m-(ER2)n-L'], and L2-M-(C4(m- A2)R3-4-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, dans laquelle M est Ti, Zr ou Hf ; chaque A est indépendamment N, Si, B ou P ; chaque E est indépendamment C, Si, B ou P ; m et n sont indépendamment 0, 1 ou 2 ; m + n > 1 ; chaque R est indépendamment un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; chaque L est indépendamment un ligand anionique -1 sélectionné dans le groupe constitué par NR'2, OR', Cp, amidinate, bêta-dicétonate ou céto-iminate, R' étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; et L' est NR" ou O, R" étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4. L'invention porte également sur des procédés de synthèse et d'utilisation des précurseurs de l'invention pour déposer des films contenant un métal de transition du groupe 4 sur un ou plusieurs substrats par des procédés de dépôt en phase vapeur.
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
Group 4 transition metal-containing film forming compositions are disclosed comprising Group 4 transition metal precursors having the formula: L2-M-C4AR3-3-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, L2-M-(C3(m-A2)R2-4-[(ER2)m- (ER2)n-L']-, L2-M-(C5AR4-4-[(ER2)m-(ER2)n-L'], and L2-M-(C4(m- A2)R3-4-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, wherein M is Ti, Zr, or Hf; each A is independently N, Si, B or P; each E is independently C, Si, B or P; m and n is independently 0, 1 or 2; m + n >1; each R is independently a H or a C1-C4 hydrocarbon group; each L is independently a -1 anionic ligand selected from the group consisting of NR'2, OR', Cp, amidinate, β- diketonate, or keto-iminate, wherein R' is a H or a C1-C4 hydrocarbon group; and L' is NR" or O, wherein R' is a H or a C1-C4 hydrocarbon group. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.
L'invention concerne des compositions filmogènes contenant un métal de transition du groupe 4 comprenant des précurseurs de métaux de transition du groupe 4 ayant la formule : L2-M-C4AR3-3-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, L2-M-(C3(m-A2)R2-4-[(ER2)m- (ER2)n-L']-, L2-M-(C5AR4-4-[(ER2)m-(ER2)n-L'], and L2-M-(C4(m- A2)R3-4-[(ER2)m-(ER2)n-L']-, dans laquelle M est Ti, Zr ou Hf ; chaque A est indépendamment N, Si, B ou P ; chaque E est indépendamment C, Si, B ou P ; m et n sont indépendamment 0, 1 ou 2 ; m + n > 1 ; chaque R est indépendamment un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; chaque L est indépendamment un ligand anionique -1 sélectionné dans le groupe constitué par NR'2, OR', Cp, amidinate, bêta-dicétonate ou céto-iminate, R' étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; et L' est NR" ou O, R" étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4. L'invention porte également sur des procédés de synthèse et d'utilisation des précurseurs de l'invention pour déposer des films contenant un métal de transition du groupe 4 sur un ou plusieurs substrats par des procédés de dépôt en phase vapeur.
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
PRÉCURSEURS DE ZIRCONIUM, DE HAFNIUM, DE TITANE ET DÉPÔT DE FILMS CONTENANT UN GROUPE 4 À L'AIDE DE CES DERNIERS
GATINEAU SATOKO (author) / NOH WONTAE (author) / KIM DAEHYEON (author) / GATINEAU JULIE (author) / GIRARD JEAN-MARC (author)
2019-01-10
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C07F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
,
ACYCLIC, CARBOCYCLIC, OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same
| European Patent Office | 2019
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
| European Patent Office | 2017
Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same
| European Patent Office | 2021
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
| European Patent Office | 2019
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
| European Patent Office | 2018