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CERAMIC-COPPER CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
A ceramic-copper circuit substrate according to an embodiment of the present invention includes a ceramic substrate, and a copper circuit board disposed on one surface of the ceramic substrate. The present invention is characterized by the following: the proportion of the thickness of the copper circuit board to that of the ceramic substrate is at least 1.25; and the number of grain boundaries even on 10mm of any straight line drawn on the surface of the copper circuit board is 5 to 250.
Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un substrat de circuit en cuivre-céramique comprenant un substrat en céramique et une carte de circuit imprimé en cuivre disposée sur une surface du substrat en céramique. La présente invention est caractérisée en ce que : la proportion entre l'épaisseur de la carte de circuit imprimé en cuivre et celle du substrat en céramique est d'au moins 1,25 ; et le nombre de joints de grains, même sur 10 mm de n'importe quelle ligne droite tracée sur la surface de la carte de circuit imprimé en cuivre, est compris entre 5 et 250.
実施形態にかかるセラミックス銅回路基板は、セラミックス基板と、セラミックス基板の一方の面に設けられた銅回路板と、を有する。セラミックス基板の厚さに対する銅回路板の厚さの比は1.25以上であり、銅回路板の表面に引いたいずれの直線10mm上においても粒界の数が5以上250以下であることを特徴とする。
CERAMIC-COPPER CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
A ceramic-copper circuit substrate according to an embodiment of the present invention includes a ceramic substrate, and a copper circuit board disposed on one surface of the ceramic substrate. The present invention is characterized by the following: the proportion of the thickness of the copper circuit board to that of the ceramic substrate is at least 1.25; and the number of grain boundaries even on 10mm of any straight line drawn on the surface of the copper circuit board is 5 to 250.
Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un substrat de circuit en cuivre-céramique comprenant un substrat en céramique et une carte de circuit imprimé en cuivre disposée sur une surface du substrat en céramique. La présente invention est caractérisée en ce que : la proportion entre l'épaisseur de la carte de circuit imprimé en cuivre et celle du substrat en céramique est d'au moins 1,25 ; et le nombre de joints de grains, même sur 10 mm de n'importe quelle ligne droite tracée sur la surface de la carte de circuit imprimé en cuivre, est compris entre 5 et 250.
実施形態にかかるセラミックス銅回路基板は、セラミックス基板と、セラミックス基板の一方の面に設けられた銅回路板と、を有する。セラミックス基板の厚さに対する銅回路板の厚さの比は1.25以上であり、銅回路板の表面に引いたいずれの直線10mm上においても粒界の数が5以上250以下であることを特徴とする。
CERAMIC-COPPER CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
SUBSTRAT DE CIRCUIT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR FAISANT APPEL AUDIT SUBSTRAT
セラミックス銅回路基板およびそれを用いた半導体装置
KATO HIROMASA (author) / SANO TAKASHI (author)
2018-10-04
Patent
Electronic Resource
Japanese
CERAMIC-COPPER CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
European Patent Office | 2022
|JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
European Patent Office | 2021
|JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
European Patent Office | 2024
|CERAMIC SUBSTRATE, CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
European Patent Office | 2024
|CERAMIC COPPER CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING SAME
European Patent Office | 2016