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TAILORING HOLES CARRIER CONCENTRATION IN CUXCRYO2
The first object of the invention is directed to a method for modulating the number of charge carriers p in CuxCryO2, said method comprising the steps of (a) depositing a film of CuxCryO2 on a substrate; and (b) annealing at a temperature T said film of deposited CuxCryO2, wherein said subscripts x and y are positive numbers whose the sum is equal or inferior to 2. Said method is remarkable in that said log (p) = α T2 + β T + γ,wherein said temperature T is expressed degree Celsius, wherein α is a first parameter ranging from – 0.00011 to – 0.009, wherein β is a second parameter ranging from + 0.12 to + 0.14, and wherein γ is a third parameter ranging from - 27.40 to – 22.42. The second object of the invention is directed to a semiconductor comprising CuxCryO2 deposited on a substrate and obtainable by the method in accordance with the first object of the invention.
Le premier objet de la présente invention concerne un procédé de modulation du nombre de transporteurs de charge p dans du CuxCryO2, ledit procédé comprenant les étapes de (a) dépôt d'un film de CuxCryO2 sur un substrat; et (b) hybridation à une température T dudit film de CuxCryO2 déposé, lesdits indices x et y étant des nombres positifs dont la somme est inférieure ou égale à 2. Ledit procédé est remarquable en ce que ledit log (p) = α T2 + β T + γ, ladite température T est exprimée en degré Celsius, α étant un premier paramètre s'étendant de -0,00011 à -0,009, β étant un second paramètre s'étendant de +0,12 à +0,14, et γ étant un troisième paramètre s'étendant de -27,40 à -22,42. Le second objet de l'invention est dirigé vers un semi-conducteur comprenant du CuxCryO2 déposé sur un substrat et pouvant être obtenu au moyen du procédé selon le premier objet de l'invention.
TAILORING HOLES CARRIER CONCENTRATION IN CUXCRYO2
The first object of the invention is directed to a method for modulating the number of charge carriers p in CuxCryO2, said method comprising the steps of (a) depositing a film of CuxCryO2 on a substrate; and (b) annealing at a temperature T said film of deposited CuxCryO2, wherein said subscripts x and y are positive numbers whose the sum is equal or inferior to 2. Said method is remarkable in that said log (p) = α T2 + β T + γ,wherein said temperature T is expressed degree Celsius, wherein α is a first parameter ranging from – 0.00011 to – 0.009, wherein β is a second parameter ranging from + 0.12 to + 0.14, and wherein γ is a third parameter ranging from - 27.40 to – 22.42. The second object of the invention is directed to a semiconductor comprising CuxCryO2 deposited on a substrate and obtainable by the method in accordance with the first object of the invention.
Le premier objet de la présente invention concerne un procédé de modulation du nombre de transporteurs de charge p dans du CuxCryO2, ledit procédé comprenant les étapes de (a) dépôt d'un film de CuxCryO2 sur un substrat; et (b) hybridation à une température T dudit film de CuxCryO2 déposé, lesdits indices x et y étant des nombres positifs dont la somme est inférieure ou égale à 2. Ledit procédé est remarquable en ce que ledit log (p) = α T2 + β T + γ, ladite température T est exprimée en degré Celsius, α étant un premier paramètre s'étendant de -0,00011 à -0,009, β étant un second paramètre s'étendant de +0,12 à +0,14, et γ étant un troisième paramètre s'étendant de -27,40 à -22,42. Le second objet de l'invention est dirigé vers un semi-conducteur comprenant du CuxCryO2 déposé sur un substrat et pouvant être obtenu au moyen du procédé selon le premier objet de l'invention.
TAILORING HOLES CARRIER CONCENTRATION IN CUXCRYO2
ADAPTATION DE LA CONCENTRATION DE TRANSPORT DE TROUS DANS CUXCRYO2
LENOBLE DAMIEN (author)
2019-04-04
Patent
Electronic Resource
English
Stress concentration around holes
| UB Braunschweig | 1961
Stress concentration around holes
| TIBKAT | 1961
On stress concentration around circular holes
| British Library Online Contents | 1995