A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
The present invention is characterized in that a W18O49 peak is confirmed by X-ray diffraction analysis in a sputtering surface and a cross section orthogonal to the sputtering surface, the ratio IS(103)/IS(010) of the diffraction intensity IS(103) of the (103) plane and the diffraction intensity IS(010) of the (010) plane of W18O49 in the sputtering surface is 0.57 or greater, the ratio IC(103)/IC(010) of the diffraction intensity IC(103) of the (103) plane and the diffraction intensity IC(010) of the (010) plane of W18O49 in the cross section is 0.38 or less, and the area ratio of a W18O49 phase in the surface parallel to the sputtering surface is 37% or greater.
La présente invention est caractérisée en ce qu'un pic W18O49 est confirmé par analyse de diffraction de rayons X dans une surface de pulvérisation cathodique et une section transversale orthogonale à la surface de pulvérisation cathodique, le rapport IS(103)/IS(010) de l'intensité de diffraction IS(103) du plan (103) à l'intensité de diffraction IS(010) du plan (010) de W18O49 dans la surface de pulvérisation cathodique est supérieur ou égal à 0,57, le rapport IC(103)/IC(010) de l'intensité de diffraction IC(103) du plan (103) à l'intensité de diffraction IC(010) du plan (010) de W18O49 dans la section transversale est inférieur ou égal à 0,38 et le rapport de surface d'une phase de W18O49 dans la surface parallèle à la surface de pulvérisation cathodique est supérieur ou égal à 37 %.
スパッタ面及び前記スパッタ面に直交する断面におけるＸ線回折分析により、Ｗ１８Ｏ４９のピークが確認されるとともに、前記スパッタ面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＳ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＳ（０１０）との比ＩＳ（１０３）／ＩＳ（０１０）が０．５７以上とされ、前記断面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＣ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＣ（０１０）との比ＩＣ（１０３）／ＩＣ（０１０）が０．３８以下とされており、スパッタ面に平行な面における前記Ｗ１８Ｏ４９相の面積率が３７％以上とされていることを特徴とする。
TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
The present invention is characterized in that a W18O49 peak is confirmed by X-ray diffraction analysis in a sputtering surface and a cross section orthogonal to the sputtering surface, the ratio IS(103)/IS(010) of the diffraction intensity IS(103) of the (103) plane and the diffraction intensity IS(010) of the (010) plane of W18O49 in the sputtering surface is 0.57 or greater, the ratio IC(103)/IC(010) of the diffraction intensity IC(103) of the (103) plane and the diffraction intensity IC(010) of the (010) plane of W18O49 in the cross section is 0.38 or less, and the area ratio of a W18O49 phase in the surface parallel to the sputtering surface is 37% or greater.
La présente invention est caractérisée en ce qu'un pic W18O49 est confirmé par analyse de diffraction de rayons X dans une surface de pulvérisation cathodique et une section transversale orthogonale à la surface de pulvérisation cathodique, le rapport IS(103)/IS(010) de l'intensité de diffraction IS(103) du plan (103) à l'intensité de diffraction IS(010) du plan (010) de W18O49 dans la surface de pulvérisation cathodique est supérieur ou égal à 0,57, le rapport IC(103)/IC(010) de l'intensité de diffraction IC(103) du plan (103) à l'intensité de diffraction IC(010) du plan (010) de W18O49 dans la section transversale est inférieur ou égal à 0,38 et le rapport de surface d'une phase de W18O49 dans la surface parallèle à la surface de pulvérisation cathodique est supérieur ou égal à 37 %.
スパッタ面及び前記スパッタ面に直交する断面におけるＸ線回折分析により、Ｗ１８Ｏ４９のピークが確認されるとともに、前記スパッタ面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＳ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＳ（０１０）との比ＩＳ（１０３）／ＩＳ（０１０）が０．５７以上とされ、前記断面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＣ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＣ（０１０）との比ＩＣ（１０３）／ＩＣ（０１０）が０．３８以下とされており、スパッタ面に平行な面における前記Ｗ１８Ｏ４９相の面積率が３７％以上とされていることを特徴とする。
TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN OXYDE DE TUNGSTÈNE
酸化タングステンスパッタリングターゲット
YAMAGUCHI GO (author) / IO KENSUKE (author) / KAWAMURA SHIORI (author) / UMEMOTO KEITA (author)
2020-09-24
Patent
Electronic Resource
Japanese