A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
A method used in forming a memory array comprises forming a stack comprising vertically- alternating first tiers and second tiers. A first insulator tier is above the stack. First insulator material of the first insulator tier comprises at least one of (a) and (b), where (a): silicon, nitrogen, and one or more of carbon, oxygen, boron, and phosphorus, and (b): silicon carbide. Channel-material strings are in the stack and in the first insulator tier. Conducting material is in the first insulator tier directly against sides of individual of the channel-material strings. A second insulator tier is formed above the first insulator tier and the conducting material. Second insulator material of the second insulator tier comprises at least one of the (a) and the (b). Conductive vias are formed and extend through the second insulator tier and that are individually directly electrically coupled to the individual channel-material strings through the conducting material. Other aspects, including structure independent of method, are disclosed.
La présente invention concerne un procédé utilisé dans la formation d'une matrice de mémoire qui comprend la formation d'une pile comprenant des premier et second niveaux en alternance verticale. Un premier niveau isolant est au-dessus de la pile. Le premier matériau isolant du premier niveau isolant comprend au moins un élément parmi (a) et (b), où (a) consiste en : silicium, azote et un ou plusieurs éléments parmi le carbone, l'oxygène, le bore et le phosphore, et (b) est composé de : carbure de silicium. Des chaînes de matériau de canal sont dans la pile et dans le premier niveau isolant. Un matériau conducteur se trouve dans le premier niveau isolant directement contre des côtés de l'individu des chaînes de matériau de canal. Un second niveau isolant est formé au-dessus du premier niveau isolant et du matériau conducteur. Le second matériau isolant du second niveau isolant comprend au moins l'un parmi (a) et (b). Des trous d'interconnexion conducteurs sont formés et s'étendent à travers le second niveau isolant et sont individuellement directement couplés électriquement aux chaînes de matériau de canal individuelles à travers le matériau conducteur. La présente invention porte sur d'autres aspects, y compris sur une structure indépendante du procédé.
MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
A method used in forming a memory array comprises forming a stack comprising vertically- alternating first tiers and second tiers. A first insulator tier is above the stack. First insulator material of the first insulator tier comprises at least one of (a) and (b), where (a): silicon, nitrogen, and one or more of carbon, oxygen, boron, and phosphorus, and (b): silicon carbide. Channel-material strings are in the stack and in the first insulator tier. Conducting material is in the first insulator tier directly against sides of individual of the channel-material strings. A second insulator tier is formed above the first insulator tier and the conducting material. Second insulator material of the second insulator tier comprises at least one of the (a) and the (b). Conductive vias are formed and extend through the second insulator tier and that are individually directly electrically coupled to the individual channel-material strings through the conducting material. Other aspects, including structure independent of method, are disclosed.
La présente invention concerne un procédé utilisé dans la formation d'une matrice de mémoire qui comprend la formation d'une pile comprenant des premier et second niveaux en alternance verticale. Un premier niveau isolant est au-dessus de la pile. Le premier matériau isolant du premier niveau isolant comprend au moins un élément parmi (a) et (b), où (a) consiste en : silicium, azote et un ou plusieurs éléments parmi le carbone, l'oxygène, le bore et le phosphore, et (b) est composé de : carbure de silicium. Des chaînes de matériau de canal sont dans la pile et dans le premier niveau isolant. Un matériau conducteur se trouve dans le premier niveau isolant directement contre des côtés de l'individu des chaînes de matériau de canal. Un second niveau isolant est formé au-dessus du premier niveau isolant et du matériau conducteur. Le second matériau isolant du second niveau isolant comprend au moins l'un parmi (a) et (b). Des trous d'interconnexion conducteurs sont formés et s'étendent à travers le second niveau isolant et sont individuellement directement couplés électriquement aux chaînes de matériau de canal individuelles à travers le matériau conducteur. La présente invention porte sur d'autres aspects, y compris sur une structure indépendante du procédé.
MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
MATRICES DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS UTILISÉS DANS LA FORMATION D'UNE MATRICE DE MÉMOIRE COMPRENANT DES CHAÎNES DE CELLULES DE MÉMOIRE
KONG LINGYU (author) / DAYCOCK DAVID (author) / KURAPATI VENKATA (author) / WIBOWO LEROY (author)
2021-05-20
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
| European Patent Office | 2022
Memory Effect in Magnetic Nanowire Arrays
| British Library Online Contents | 2011