A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS AND METHOD USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
A method used in forming a memory array comprising strings of memory cells comprises forming a stack comprising vertically-alternating first tiers and second tiers. The stack comprises laterally-spaced memory-block regions that have horizontally-elongated trenches there-between. Channel openings extend through the first tiers and the second tiers in the memory-block regions. Channel material of channel-material strings is formed in the channel openings and the channel material is formed in the horizontally-elongated trenches. The channel material is removed from the horizontally-elongated trenches and the channel material of the channel-material strings is left in the channel openings. After removing the channel material from the horizontally-elongated trenches, intervening material is formed in the horizontally-elongated trenches laterally-between and longitudinally- along immediately-laterally-adjacent of the memory-block regions. Other embodiments, including structure independent of method, are disclosed.
La présente invention porte sur un procédé utilisé dans la formation de matrice de mémoire qui comprend des chaînes de cellules de mémoire, consistant à former un empilement comprenant des premiers niveaux alternés verticalement et des seconds niveaux. L'empilement comprend des régions de bloc de mémoire espacées latéralement qui ont des tranchées allongées horizontalement entre elles. Des ouvertures de canal s'étendent à travers les premiers niveaux et les seconds niveaux dans les régions de bloc de mémoire. Un matériau de canal de chaînes de matériau de canal est formé dans les ouvertures de canal et le matériau de canal est formé dans les tranchées allongées horizontalement. Le matériau de canal est retiré des tranchées allongées horizontalement et le matériau de canal des chaînes de matériau de canal est laissé dans les ouvertures de canal. Après retrait du matériau de canal des tranchées allongées horizontalement, un matériau intermédiaire est formé dans les tranchées allongées horizontalement entre les régions de bloc de mémoire et longitudinalement le long de celles-ci, immédiatement latéralement adjacentes aux régions de bloc de mémoire. La présente invention porte sur d'autres modes de réalisation, y compris sur une structure indépendante du procédé.
MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS AND METHOD USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
A method used in forming a memory array comprising strings of memory cells comprises forming a stack comprising vertically-alternating first tiers and second tiers. The stack comprises laterally-spaced memory-block regions that have horizontally-elongated trenches there-between. Channel openings extend through the first tiers and the second tiers in the memory-block regions. Channel material of channel-material strings is formed in the channel openings and the channel material is formed in the horizontally-elongated trenches. The channel material is removed from the horizontally-elongated trenches and the channel material of the channel-material strings is left in the channel openings. After removing the channel material from the horizontally-elongated trenches, intervening material is formed in the horizontally-elongated trenches laterally-between and longitudinally- along immediately-laterally-adjacent of the memory-block regions. Other embodiments, including structure independent of method, are disclosed.
La présente invention porte sur un procédé utilisé dans la formation de matrice de mémoire qui comprend des chaînes de cellules de mémoire, consistant à former un empilement comprenant des premiers niveaux alternés verticalement et des seconds niveaux. L'empilement comprend des régions de bloc de mémoire espacées latéralement qui ont des tranchées allongées horizontalement entre elles. Des ouvertures de canal s'étendent à travers les premiers niveaux et les seconds niveaux dans les régions de bloc de mémoire. Un matériau de canal de chaînes de matériau de canal est formé dans les ouvertures de canal et le matériau de canal est formé dans les tranchées allongées horizontalement. Le matériau de canal est retiré des tranchées allongées horizontalement et le matériau de canal des chaînes de matériau de canal est laissé dans les ouvertures de canal. Après retrait du matériau de canal des tranchées allongées horizontalement, un matériau intermédiaire est formé dans les tranchées allongées horizontalement entre les régions de bloc de mémoire et longitudinalement le long de celles-ci, immédiatement latéralement adjacentes aux régions de bloc de mémoire. La présente invention porte sur d'autres modes de réalisation, y compris sur une structure indépendante du procédé.
MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS AND METHOD USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
MATRICE DE MÉMOIRE COMPRENANT DES CHAÎNES DE CELLULES DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS UTILISÉS POUR FORMER UNE MATRICE DE MÉMOIRE COMPRENANT DES CHAÎNES DE CELLULES DE MÉMOIRE
HOPKINS JOHN (author) / SCARBROUGH ALYSSA (author)
2022-03-03
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
| European Patent Office | 2021
Better external memory suffix array construction
| DataCite | 2008