A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH BACKSIDE SOURCE CONTACT
Embodiments of 3D memory devices and methods for forming the same are disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate, a peripheral circuit on the substrate, a memory stack including interleaved conductive layers and dielectric layers above the peripheral circuit, a first semiconductor layer above the memory stack, a second semiconductor layer above and in contact with the first semiconductor layer, a plurality of channel structures each extending vertically through the memory stack and the first semiconductor layer, and a source contact above the memory stack and in contact with the second semiconductor layer.
Sont divulgués des modes de réalisation de dispositifs de mémoire 3D et leurs procédés de formation. Dans un exemple, un dispositif de mémoire 3D comprend un substrat, un circuit périphérique sur le substrat, une pile mémoire comprenant des couches conductrices et des couches diélectriques entrelacées au-dessus du circuit périphérique, une première couche semi-conductrice au-dessus de la pile mémoire, une seconde couche semi-conductrice au-dessus de la première couche semi-conductrice et en contact avec cette dernière, une pluralité de structures de canal s'étendant chacune verticalement à travers la pile mémoire et la première couche semi-conductrice, et un contact de source au-dessus de la pile mémoire et en contact avec la seconde couche semi-conductrice.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH BACKSIDE SOURCE CONTACT
Embodiments of 3D memory devices and methods for forming the same are disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate, a peripheral circuit on the substrate, a memory stack including interleaved conductive layers and dielectric layers above the peripheral circuit, a first semiconductor layer above the memory stack, a second semiconductor layer above and in contact with the first semiconductor layer, a plurality of channel structures each extending vertically through the memory stack and the first semiconductor layer, and a source contact above the memory stack and in contact with the second semiconductor layer.
Sont divulgués des modes de réalisation de dispositifs de mémoire 3D et leurs procédés de formation. Dans un exemple, un dispositif de mémoire 3D comprend un substrat, un circuit périphérique sur le substrat, une pile mémoire comprenant des couches conductrices et des couches diélectriques entrelacées au-dessus du circuit périphérique, une première couche semi-conductrice au-dessus de la pile mémoire, une seconde couche semi-conductrice au-dessus de la première couche semi-conductrice et en contact avec cette dernière, une pluralité de structures de canal s'étendant chacune verticalement à travers la pile mémoire et la première couche semi-conductrice, et un contact de source au-dessus de la pile mémoire et en contact avec la seconde couche semi-conductrice.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH BACKSIDE SOURCE CONTACT
DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À CONTACT DE SOURCE DE FACE ARRIÈRE
ZHANG KUN (author) / WU LINCHUN (author) / ZHOU WENXI (author) / XIA ZHILIANG (author) / HUO ZONGLIANG (author)
2021-10-21
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B