A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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MRAM CONTAINING MAGNETIC TOP CONTACT
A magnetic random-access memory (MRAM) structure is disclosed which includes a magnetic liner (160), comprising a ferromagnetic material, located between a top contact (180) and a magnetic tunnel junction (MTJ) stack (140) or an optional metal hardmask (150) thereon. This enables the magnetic liner to act as an independent variable to balance magnetic parameters in the MTJ stack in order to achieve zero magnetic field at the MTJ layers. A diffusion barrier liner (170) may be located between the top contact (180) and the magnetic liner (160). A corresponding fabrication method is also disclosed.
Une structure de mémoire vive magnétique (MRAM) est divulguée, qui comprend un revêtement interne magnétique (160), comprenant un matériau ferromagnétique, situé entre un contact supérieur (180) et une pile de jonctions tunnel magnétique (JTM) (140) ou un masque dur métallique facultatif (150) sur celui-ci. Cela permet au revêtement interne magnétique d'agir en tant que variable indépendante pour équilibrer des paramètres magnétiques dans la pile JTM afin d'obtenir un champ magnétique nul au niveau des couches JTM. Un revêtement de barrière de diffusion (170) peut se situer entre le contact supérieur (180) et le revêtement interne magnétique (160). Un procédé de fabrication correspondant est également divulgué.
MRAM CONTAINING MAGNETIC TOP CONTACT
A magnetic random-access memory (MRAM) structure is disclosed which includes a magnetic liner (160), comprising a ferromagnetic material, located between a top contact (180) and a magnetic tunnel junction (MTJ) stack (140) or an optional metal hardmask (150) thereon. This enables the magnetic liner to act as an independent variable to balance magnetic parameters in the MTJ stack in order to achieve zero magnetic field at the MTJ layers. A diffusion barrier liner (170) may be located between the top contact (180) and the magnetic liner (160). A corresponding fabrication method is also disclosed.
Une structure de mémoire vive magnétique (MRAM) est divulguée, qui comprend un revêtement interne magnétique (160), comprenant un matériau ferromagnétique, situé entre un contact supérieur (180) et une pile de jonctions tunnel magnétique (JTM) (140) ou un masque dur métallique facultatif (150) sur celui-ci. Cela permet au revêtement interne magnétique d'agir en tant que variable indépendante pour équilibrer des paramètres magnétiques dans la pile JTM afin d'obtenir un champ magnétique nul au niveau des couches JTM. Un revêtement de barrière de diffusion (170) peut se situer entre le contact supérieur (180) et le revêtement interne magnétique (160). Un procédé de fabrication correspondant est également divulgué.
MRAM CONTAINING MAGNETIC TOP CONTACT
MRAM CONTENANT UN CONTACT SUPÉRIEUR MAGNÉTIQUE
RIZZOLO MICHAEL (author) / ZARE SABA (author) / MEHTA VIRAT (author) / EVARTS ERIC (author)
2022-08-04
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10N
Dead layers kill MRAM performance:Magnetic Materials
| British Library Online Contents | 2009
Technological issues for high-density MRAM
| IEEE | 2006