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SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The present invention relates to a silicon nitride sintered body which contains silicon nitride, 0.20 mass% or more of Mg and 0.01 mass% or more of Al and in which the β ratio is 90 mass% or more. The mass ratios of prescribed elements relative to Mg fall within a prescribed range. The content of Zr, the content of Hf and the content of Ta are each not less than 0 mass% and less than 0.74 mass%. The content of carbon is 0-1.00 mass%. The relative density is 98.20% or more. The 4 point bending strength is 915 MPa or more. The thermal conductivity is 20.0 W/m·K or more.
La présente invention se rapporte à un corps fritté en nitrure de silicium qui contient du nitrure de silicium, 0,20 % en masse ou plus de Mg et 0,01 % en masse ou plus d'Al et dans lequel le rapport β est de 90 % en masse ou plus. Les rapports de masse des éléments prescrits par rapport au Mg se situent dans une plage prescrite. La teneur en Zr, la teneur en Hf et la teneur en Ta sont chacune d'au moins 0 % en masse et inférieures à 0,74 % en masse. La teneur en carbone est comprise entre 0 et 1,00 % en masse. La densité relative est de 98,20% ou plus. La résistance à la flexion en 4 points est de 915 MPa ou plus. La conductivité thermique est de 20,0 W/m·K ou plus.
本発明は、窒化ケイ素と、０．２０質量％以上のＭｇと、０．０１質量％以上のＡｌとを含み、β率が９０質量％以上である窒化ケイ素焼結体であって、Ｍｇに対する所定元素の質量比が所定範囲内であり、Ｚｒの含有量、Ｈｆの含有量及びＴａの含有量がいずれも０質量％以上０．７４質量％未満であり、炭素の含有量が０～１．００質量％であり、相対密度が９８．２０％以上、４点曲げ強さが９１５ＭＰａ以上、熱伝導率が２０．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である窒化ケイ素焼結体に関する。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The present invention relates to a silicon nitride sintered body which contains silicon nitride, 0.20 mass% or more of Mg and 0.01 mass% or more of Al and in which the β ratio is 90 mass% or more. The mass ratios of prescribed elements relative to Mg fall within a prescribed range. The content of Zr, the content of Hf and the content of Ta are each not less than 0 mass% and less than 0.74 mass%. The content of carbon is 0-1.00 mass%. The relative density is 98.20% or more. The 4 point bending strength is 915 MPa or more. The thermal conductivity is 20.0 W/m·K or more.
La présente invention se rapporte à un corps fritté en nitrure de silicium qui contient du nitrure de silicium, 0,20 % en masse ou plus de Mg et 0,01 % en masse ou plus d'Al et dans lequel le rapport β est de 90 % en masse ou plus. Les rapports de masse des éléments prescrits par rapport au Mg se situent dans une plage prescrite. La teneur en Zr, la teneur en Hf et la teneur en Ta sont chacune d'au moins 0 % en masse et inférieures à 0,74 % en masse. La teneur en carbone est comprise entre 0 et 1,00 % en masse. La densité relative est de 98,20% ou plus. La résistance à la flexion en 4 points est de 915 MPa ou plus. La conductivité thermique est de 20,0 W/m·K ou plus.
本発明は、窒化ケイ素と、０．２０質量％以上のＭｇと、０．０１質量％以上のＡｌとを含み、β率が９０質量％以上である窒化ケイ素焼結体であって、Ｍｇに対する所定元素の質量比が所定範囲内であり、Ｚｒの含有量、Ｈｆの含有量及びＴａの含有量がいずれも０質量％以上０．７４質量％未満であり、炭素の含有量が０～１．００質量％であり、相対密度が９８．２０％以上、４点曲げ強さが９１５ＭＰａ以上、熱伝導率が２０．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である窒化ケイ素焼結体に関する。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
CORPS FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CORPS FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素焼結体および窒化ケイ素焼結体の製造方法
OHKOSHI KAZUTO (author) / OGAWA SHUHEI (author) / MIYAKAWA NAOMICHI (author)
2022-08-04
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2024
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2024
Green sheet, method for producing silicon nitride sintered body, and silicon nitride sintered body
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2025
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2023