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SILICON NITRIDE SINTERED BODY, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE SINTERED BODY
Provided is a silicon nitride sintered body in which the orientation of β-type silicon nitride (β-Si3N4) particles is controlled and the thermal conductivity performance is further improved. The silicon nitride sintered body forms a substrate containing β-type silicon nitride particles, and the Lotgering factor f(hk0), which indicates the orientation degree of the (hk0) plane of the β-type silicon nitride particles on the substrate plane, is a negative value.
L'invention concerne un corps fritté de nitrure de silicium dans lequel l'orientation de particules de nitrure de silicium de type β (β-Si3N4) est contrôlée et les performances de conductivité thermique sont encore améliorées. Le corps fritté de nitrure de silicium forme un substrat contenant des particules de nitrure de silicium de type β, et le facteur de verrouillage f(hk0), qui indique le degré d'orientation du plan (hk0) des particules de nitrure de silicium de type β sur le plan substrat, est une valeur négative.
β型窒化ケイ素（β－Ｓｉ３Ｎ４）粒子の配向を制御し、熱伝導性能をより一層改善した窒化ケイ素焼結体を提供する 窒化ケイ素焼結体は、β型窒化ケイ素粒子を含む基板を成し、基板平面におけるβ型窒化ケイ素粒子の（ｈｋ０）面の配向度を示すロットゲーリングファクタｆ（ｈｋ０）が負の値となる。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE SINTERED BODY
Provided is a silicon nitride sintered body in which the orientation of β-type silicon nitride (β-Si3N4) particles is controlled and the thermal conductivity performance is further improved. The silicon nitride sintered body forms a substrate containing β-type silicon nitride particles, and the Lotgering factor f(hk0), which indicates the orientation degree of the (hk0) plane of the β-type silicon nitride particles on the substrate plane, is a negative value.
L'invention concerne un corps fritté de nitrure de silicium dans lequel l'orientation de particules de nitrure de silicium de type β (β-Si3N4) est contrôlée et les performances de conductivité thermique sont encore améliorées. Le corps fritté de nitrure de silicium forme un substrat contenant des particules de nitrure de silicium de type β, et le facteur de verrouillage f(hk0), qui indique le degré d'orientation du plan (hk0) des particules de nitrure de silicium de type β sur le plan substrat, est une valeur négative.
β型窒化ケイ素（β－Ｓｉ３Ｎ４）粒子の配向を制御し、熱伝導性能をより一層改善した窒化ケイ素焼結体を提供する 窒化ケイ素焼結体は、β型窒化ケイ素粒子を含む基板を成し、基板平面におけるβ型窒化ケイ素粒子の（ｈｋ０）面の配向度を示すロットゲーリングファクタｆ（ｈｋ０）が負の値となる。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE SINTERED BODY
CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素焼結体、および、窒化ケイ素焼結体の製造方法
MATSUMOTO OSAMU (author) / TAKAHASHI MITSUTAKA (author)
2023-08-24
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2022
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2024
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2024