A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
A three-dimensional (3D) memory device includes a stack structure having interleaved conductive layers and dielectric layers, and a channel structure extending through the stack structure along a first direction. The channel structure is in contact with a source of the 3D memory device at a bottom portion of the channel structure. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The memory film includes a first angled structure, and a first diameter of the memory film at the bottom portion below the first angled structure is smaller than a second diameter of the memory film at an upper portion above the first angled structure.
La présente invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnelle (3D) qui comprend une structure d'empilement ayant des couches conductrices et des couches diélectriques entrelacées, et une structure de canal s'étendant à travers la structure d'empilement le long d'une première direction. La structure de canal est en contact avec une source du dispositif de mémoire 3D au niveau d'une partie inférieure de la structure de canal. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire sur le canal semi-conducteur. Le film de mémoire comprend une première structure inclinée, et un premier diamètre du film de mémoire au niveau de la partie inférieure au-dessous de la première structure inclinée est inférieur à un second diamètre du film de mémoire au niveau d'une partie supérieure au-dessus de la première structure inclinée.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
A three-dimensional (3D) memory device includes a stack structure having interleaved conductive layers and dielectric layers, and a channel structure extending through the stack structure along a first direction. The channel structure is in contact with a source of the 3D memory device at a bottom portion of the channel structure. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The memory film includes a first angled structure, and a first diameter of the memory film at the bottom portion below the first angled structure is smaller than a second diameter of the memory film at an upper portion above the first angled structure.
La présente invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnelle (3D) qui comprend une structure d'empilement ayant des couches conductrices et des couches diélectriques entrelacées, et une structure de canal s'étendant à travers la structure d'empilement le long d'une première direction. La structure de canal est en contact avec une source du dispositif de mémoire 3D au niveau d'une partie inférieure de la structure de canal. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire sur le canal semi-conducteur. Le film de mémoire comprend une première structure inclinée, et un premier diamètre du film de mémoire au niveau de la partie inférieure au-dessous de la première structure inclinée est inférieur à un second diamètre du film de mémoire au niveau d'une partie supérieure au-dessus de la première structure inclinée.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
WU LINCHUN (author) / ZHANG KUN (author) / ZHOU WENXI (author) / XIA ZHILIANG (author) / XIE WEI (author) / WANG DI (author) / WANG BINGGUO (author) / HUO ZONGLIANG (author)
2023-03-02
Patent
Electronic Resource
English
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2019