A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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HIGHLY THERMALLY CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The highly thermally conductive silicon nitride sintered compact according to an embodiment comprises silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase. The silicon nitride sintered compact has a heat conductivity of 80 W/(m·K) or more. The average value of solute oxygen levels in the silicon nitride crystal grains present in a unit surface area of 20 μm × 20 μm in an arbitrary cross-sectional surface is 0.2 wt% or less. The average value of major axis diameters of the silicon nitride crystal grains present in a unit surface area of 50 μm × 50 μm in an arbitrary cross-sectional surface is 1 to 10 μm inclusive. The average value of aspect ratios of the silicon nitride crystal grains present in the unit surface area of 50 μm × 50 μm is 2 to 10 inclusive.
L'invention concerne un comprimé fritté de nitrure de silicium hautement thermoconducteur qui, selon un mode de réalisation, comprend des grains cristallins de nitrure de silicium et une phase de joints de grains. Le comprimé fritté de nitrure de silicium a une conductivité thermique supérieure ou égale à 80 W/(m·K). La valeur moyenne des taux d'oxygène en solution dans les grains cristallins de nitrure de silicium présents dans une surface unitaire de 20 μm × 20 μm dans une surface de section transversale arbitraire est inférieure ou égale à 0,2 % en poids. La valeur moyenne des diamètres de grand axe des grains cristallins de nitrure de silicium présents dans une surface unitaire de 50 µm × 50 µm dans une surface de section transversale arbitraire est de 1 à 10 µm bornes comprises. La valeur moyenne des facteurs de forme des grains cristallins de nitrure de silicium présents dans la surface unitaire de 50 µm × 50 μm est de 2 à 10 bornes comprises.
実施形態に係る高熱伝導性窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子及び粒界相を備える。前記窒化珪素焼結体の熱伝導率は、８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。任意の断面における単位面積２０μｍ×２０μｍに存在する前記窒化珪素結晶粒子の固溶酸素量の平均値は、０．２ｗｔ％以下である。任意の断面における単位面積５０μｍ×５０μｍに存在する前記窒化珪素結晶粒子の長径の平均値は、１μｍ以上１０μｍ以下である。前記単位面積５０μｍ×５０μｍに存在する前記窒化珪素結晶粒子のアスペクト比の平均は、２以上１０以下である。
HIGHLY THERMALLY CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The highly thermally conductive silicon nitride sintered compact according to an embodiment comprises silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase. The silicon nitride sintered compact has a heat conductivity of 80 W/(m·K) or more. The average value of solute oxygen levels in the silicon nitride crystal grains present in a unit surface area of 20 μm × 20 μm in an arbitrary cross-sectional surface is 0.2 wt% or less. The average value of major axis diameters of the silicon nitride crystal grains present in a unit surface area of 50 μm × 50 μm in an arbitrary cross-sectional surface is 1 to 10 μm inclusive. The average value of aspect ratios of the silicon nitride crystal grains present in the unit surface area of 50 μm × 50 μm is 2 to 10 inclusive.
L'invention concerne un comprimé fritté de nitrure de silicium hautement thermoconducteur qui, selon un mode de réalisation, comprend des grains cristallins de nitrure de silicium et une phase de joints de grains. Le comprimé fritté de nitrure de silicium a une conductivité thermique supérieure ou égale à 80 W/(m·K). La valeur moyenne des taux d'oxygène en solution dans les grains cristallins de nitrure de silicium présents dans une surface unitaire de 20 μm × 20 μm dans une surface de section transversale arbitraire est inférieure ou égale à 0,2 % en poids. La valeur moyenne des diamètres de grand axe des grains cristallins de nitrure de silicium présents dans une surface unitaire de 50 µm × 50 µm dans une surface de section transversale arbitraire est de 1 à 10 µm bornes comprises. La valeur moyenne des facteurs de forme des grains cristallins de nitrure de silicium présents dans la surface unitaire de 50 µm × 50 μm est de 2 à 10 bornes comprises.
実施形態に係る高熱伝導性窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子及び粒界相を備える。前記窒化珪素焼結体の熱伝導率は、８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。任意の断面における単位面積２０μｍ×２０μｍに存在する前記窒化珪素結晶粒子の固溶酸素量の平均値は、０．２ｗｔ％以下である。任意の断面における単位面積５０μｍ×５０μｍに存在する前記窒化珪素結晶粒子の長径の平均値は、１μｍ以上１０μｍ以下である。前記単位面積５０μｍ×５０μｍに存在する前記窒化珪素結晶粒子のアスペクト比の平均は、２以上１０以下である。
HIGHLY THERMALLY CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
COMPRIMÉ FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM HAUTEMENT THERMOCONDUCTEUR, SUBSTRAT EN NITRURE DE SILICIUM, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ AU NITRURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
高熱伝導性窒化珪素焼結体、窒化珪素基板、窒化珪素回路基板、および半導体装置
AOKI KATSUYUKI (author) / GOTO YASUHIRO (author) / IWAI KENTARO (author) / FUKASAWA TAKAYUKI (author) / YAMAGATA YOSHIHITO (author)
2023-03-09
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
Silicon Nitride Sintered Body, Silicon Nitride Substrate, And Silicon Nitride Circuit Board
| European Patent Office | 2021
Silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, and silicon nitride circuit board
| European Patent Office | 2025