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IGZO SPUTTERING TARGET
The present invention provides an IGZO sputtering target which has a high relative density, while suppressing particle increase and arcing during sputtering. The present invention provides an IGZO sputtering target which contains indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), zirconium (Zr) and oxygen (O), with the balance being made up of unavoidable impurities; and this IGZO sputtering target contains Zr in an amount of less than 20 ppm by mass, while having a relative density of 95% or more.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation IGZO qui présente une densité relative élevée, tout en empêchant l'augmentation du nombre de particules et la formation d'arc pendant la pulvérisation. La présente invention concerne une cible de pulvérisation IGZO qui contient de l'indium (in), du gallium (Ga), du zinc (Zn), du zirconium (Zr) et de l'oxygène (O), le reste étant constitué d'impuretés inévitables ; et cette cible de pulvérisation IGZO contient du Zr en une quantité inférieure à 20 ppm en masse, tout en présentant une densité relative de 95 % ou plus.
スパッタリング時のアーキングやパーティクル増加などを抑制しつつ、相対密度の高いＩＧＺＯスパッタリングターゲットを提供する。インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及び酸素（Ｏ）を含有し、残部が不可避的不純物で構成され、Ｚｒを２０質量ｐｐｍ未満で含有し、相対密度が９５％以上であるＩＧＺＯスパッタリングターゲット。
IGZO SPUTTERING TARGET
The present invention provides an IGZO sputtering target which has a high relative density, while suppressing particle increase and arcing during sputtering. The present invention provides an IGZO sputtering target which contains indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), zirconium (Zr) and oxygen (O), with the balance being made up of unavoidable impurities; and this IGZO sputtering target contains Zr in an amount of less than 20 ppm by mass, while having a relative density of 95% or more.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation IGZO qui présente une densité relative élevée, tout en empêchant l'augmentation du nombre de particules et la formation d'arc pendant la pulvérisation. La présente invention concerne une cible de pulvérisation IGZO qui contient de l'indium (in), du gallium (Ga), du zinc (Zn), du zirconium (Zr) et de l'oxygène (O), le reste étant constitué d'impuretés inévitables ; et cette cible de pulvérisation IGZO contient du Zr en une quantité inférieure à 20 ppm en masse, tout en présentant une densité relative de 95 % ou plus.
スパッタリング時のアーキングやパーティクル増加などを抑制しつつ、相対密度の高いＩＧＺＯスパッタリングターゲットを提供する。インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及び酸素（Ｏ）を含有し、残部が不可避的不純物で構成され、Ｚｒを２０質量ｐｐｍ未満で含有し、相対密度が９５％以上であるＩＧＺＯスパッタリングターゲット。
IGZO SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION IGZO
ＩＧＺＯスパッタリングターゲット
MURAI KAZUTAKA (author) / OSADA KOZO (author)
2023-05-04
Patent
Electronic Resource
Japanese