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POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Provided is a polycrystalline SiC molded body capable of realizing uniform plasma etching when used as an electrode, and a method for manufacturing same. This polycrystalline SiC molded body, wherein Wa (0-10 mm) of a main surface is 0.00-0.05 μm or less, Wa (10-20 mm) is 0.13 μm or less, and Wa (20-30 mm) is 0.20 μm or less.
L'invention concerne un corps moulé en SiC polycristallin capable de réaliser une gravure au plasma uniforme lorsqu'il est utilisé en tant qu'électrode, et son procédé de fabrication. Ce corps moulé en SiC polycristallin, dans lequel le Wa (0-10 mm) d'une surface principale est inférieur ou égal à 0,00 à 0,05 Μm, le Wa (10-20 mm) est inférieur ou égal à 0,13 µm, et le Wa (20-30 mm) est inférieur ou égal à 0,20 µm.
電極として用いられた場合に、均一なプラズマエッチングを実現することのできる多結晶ＳｉＣ成形体及びその製造方法を提供すること。 主面のＷａ（０～１０ｍｍ）が、０．００～０．０５μｍ以下であり、Ｗａ（１０～２０ｍｍ）が、０．１３μｍ以下であり、Ｗａ（２０～３０ｍｍ）が、０．２０μｍ以下である、多結晶ＳｉＣ成形体。
POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Provided is a polycrystalline SiC molded body capable of realizing uniform plasma etching when used as an electrode, and a method for manufacturing same. This polycrystalline SiC molded body, wherein Wa (0-10 mm) of a main surface is 0.00-0.05 μm or less, Wa (10-20 mm) is 0.13 μm or less, and Wa (20-30 mm) is 0.20 μm or less.
L'invention concerne un corps moulé en SiC polycristallin capable de réaliser une gravure au plasma uniforme lorsqu'il est utilisé en tant qu'électrode, et son procédé de fabrication. Ce corps moulé en SiC polycristallin, dans lequel le Wa (0-10 mm) d'une surface principale est inférieur ou égal à 0,00 à 0,05 Μm, le Wa (10-20 mm) est inférieur ou égal à 0,13 µm, et le Wa (20-30 mm) est inférieur ou égal à 0,20 µm.
電極として用いられた場合に、均一なプラズマエッチングを実現することのできる多結晶ＳｉＣ成形体及びその製造方法を提供すること。 主面のＷａ（０～１０ｍｍ）が、０．００～０．０５μｍ以下であり、Ｗａ（１０～２０ｍｍ）が、０．１３μｍ以下であり、Ｗａ（２０～３０ｍｍ）が、０．２０μｍ以下である、多結晶ＳｉＣ成形体。
POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
CORPS MOULÉ EN SIC POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
多結晶ＳｉＣ成形体及びその製造方法
HARADA YOHEI (author) / OISHI JUNYA (author)
2023-05-04
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C23F
Nichtmechanisches Entfernen metallischer Stoffe von Oberflächen
,
NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACES
/
C01B
NON-METALLIC ELEMENTS
,
Nichtmetallische Elemente
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C30B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH
,
Züchten von Einkristallen
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2024
POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2024