A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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CERAMIC HEATER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
Disclosed is a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus, the ceramic heater having volume resistivity at high temperature and thermal conductivity at room temperature that are superior to those of a normal ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus. The ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus comprises: a ceramic substrate comprising a) aluminum nitride (AlN), b) at least one from among magnesium oxide (MgO), alumina (Al2O3) and spinel (MgAl2O4), c) calcium oxide (CaO) and d) titanium dioxide (TiO2); and a resistive heating element.
L'invention concerne un dispositif de chauffage en céramique pour un appareil de fabrication de semi-conducteurs, le dispositif de chauffage en céramique ayant une résistivité volumique à haute température et une conductivité thermique à température ambiante qui sont supérieures à celles d'un dispositif de chauffage en céramique normal pour un appareil de fabrication de semi-conducteur. Le dispositif de chauffage en céramique pour un appareil de fabrication de semi-conducteurs comprend : un substrat en céramique comprenant a) de nitrure d'aluminium (AlN)),b) au moins l'un parmi l'oxyde de magnésium (MgO), de l'alumine (Al2O3) et spinelle (MgAl2O4), c) de l'oxyde de calcium (CaO) et d) du dioxyde de titane (TiO2) ; et un élément chauffant résistif.
통상의 반도체 제조 장치용 세라믹 히터에 비해 특히 고온에서의 체적 저항과 상온에서의 열 전도도가 우수한 반도체 제조 장치용 세라믹 히터가 개시된다. 상기 반도체 제조 장치용 세라믹 히터는, a) 질화알루미늄(AlN), b) 산화마그네슘(MgO), 알루미나(Al2O3) 및 스피넬(MgAl2O4) 중 어느 하나 이상, c) 산화칼슘(CaO) 및 d) 이산화타이타늄(TiO2)을 포함하는 세라믹 기판; 및 저항 발열체;를 포함한다.
CERAMIC HEATER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
Disclosed is a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus, the ceramic heater having volume resistivity at high temperature and thermal conductivity at room temperature that are superior to those of a normal ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus. The ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus comprises: a ceramic substrate comprising a) aluminum nitride (AlN), b) at least one from among magnesium oxide (MgO), alumina (Al2O3) and spinel (MgAl2O4), c) calcium oxide (CaO) and d) titanium dioxide (TiO2); and a resistive heating element.
L'invention concerne un dispositif de chauffage en céramique pour un appareil de fabrication de semi-conducteurs, le dispositif de chauffage en céramique ayant une résistivité volumique à haute température et une conductivité thermique à température ambiante qui sont supérieures à celles d'un dispositif de chauffage en céramique normal pour un appareil de fabrication de semi-conducteur. Le dispositif de chauffage en céramique pour un appareil de fabrication de semi-conducteurs comprend : un substrat en céramique comprenant a) de nitrure d'aluminium (AlN)),b) au moins l'un parmi l'oxyde de magnésium (MgO), de l'alumine (Al2O3) et spinelle (MgAl2O4), c) de l'oxyde de calcium (CaO) et d) du dioxyde de titane (TiO2) ; et un élément chauffant résistif.
통상의 반도체 제조 장치용 세라믹 히터에 비해 특히 고온에서의 체적 저항과 상온에서의 열 전도도가 우수한 반도체 제조 장치용 세라믹 히터가 개시된다. 상기 반도체 제조 장치용 세라믹 히터는, a) 질화알루미늄(AlN), b) 산화마그네슘(MgO), 알루미나(Al2O3) 및 스피넬(MgAl2O4) 중 어느 하나 이상, c) 산화칼슘(CaO) 및 d) 이산화타이타늄(TiO2)을 포함하는 세라믹 기판; 및 저항 발열체;를 포함한다.
CERAMIC HEATER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
DISPOSITIF DE CHAUFFAGE EN CÉRAMIQUE POUR APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
반도체 제조 장치용 세라믹 히터
KIM YUN HO (author) / KIM JOO HWAN (author) / PARK HWAN YOUNG (author) / KIM BO SUNG (author)
2023-05-25
Patent
Electronic Resource
Korean
CERAMIC HEATER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
| European Patent Office | 2024
Ceramic heater for semiconductor manufacturing apparatus
| European Patent Office | 2023
CERAMIC HEATER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
| European Patent Office | 2024
Ceramic heater for semiconductor manufacturing equipment
| European Patent Office | 2024