A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
POLYCRYSTALLINE SiC MOLDED BODY
A polycrystalline SiC molded body comprising a first structure and a second structure, wherein the polycrystalline SiC molded body is plate-shaped and has a substantially flat main surface, the first structure is a polycrystalline SiC having a 3C-type crystal structure, the second structure is different from the first structure, in the first structure, the (111) plane, (200) plane, (220) plane, or (311) plane is oriented along a direction substantially normal to the main surface of the polycrystalline SiC molded body, the area fraction of the first structure in the main surface is more than 0% and less than 50%, the average crystal grain size is 5 μm or less, and in the X-ray diffraction pattern on the main surface, the ratio of the X-ray diffraction peak intensity of the SiC (111) plane to the total X-ray diffraction peak intensity of SiC (111) plane, SiC (200) plane, SiC (220) plane, and SiC (311) plane is 0.8 or more.
La présente invention concerne un corps moulé en SiC polycristallin comprenant une première structure et une seconde structure, le corps moulé en SiC polycristallin étant en forme de plaque et ayant une surface principale sensiblement plate, la première structure étant un SiC polycristallin ayant une structure cristalline de type 3C, la seconde structure étant différente de la première structure, dans la première structure, le plan (111), le plan (200), le plan (220) ou le plan (311) est orienté le long d'une direction sensiblement normale par rapport à la surface principale du corps moulé en SiC polycristallin, la fraction de surface de la première structure dans la surface principale est supérieure à 0 % et inférieure à 50 %, la taille moyenne de grain cristallin est de 5 µm ou moins, et dans le diagramme de diffraction par rayons X sur la surface principale, le rapport de l'intensité de pic de diffraction par rayons X du plan (111) de SiC sur l'intensité totale de pic de diffraction par rayons X du plan (111) de SiC, du plan (200) de SiC, du plan (220) de SiC et du plan (311) de SiC est de 0,8 ou plus.
第１の組織と第２の組織とからなる多結晶ＳｉＣ成形体であって、前記多結晶ＳｉＣ成形体は、板状であって、略平面の主面を有し、前記第１の組織は、３Ｃ型結晶構造を有する多結晶ＳｉＣであって、前記第２の組織は、前記第１の組織と異なる組織であり、前記第１の組織は、前記多結晶ＳｉＣ成形体の前記主面の略法線方向に沿って、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面又は（３１１）面が配向した組織であり、前記主面における前記第１の組織の面積分率が０％超５０％未満であり、平均結晶粒径が５μｍ以下であり、前記主面におけるＸ線回折パターンにおいて、ＳｉＣ（１１１）面、ＳｉＣ（２００）面、ＳｉＣ（２２０）面、およびＳｉＣ（３１１）面のＸ線回折ピーク強度の合計に対する、ＳｉＣ（１１１）面のＸ線回折ピーク強度の比率が、０．８以上である、多結晶ＳｉＣ成形体。
POLYCRYSTALLINE SiC MOLDED BODY
A polycrystalline SiC molded body comprising a first structure and a second structure, wherein the polycrystalline SiC molded body is plate-shaped and has a substantially flat main surface, the first structure is a polycrystalline SiC having a 3C-type crystal structure, the second structure is different from the first structure, in the first structure, the (111) plane, (200) plane, (220) plane, or (311) plane is oriented along a direction substantially normal to the main surface of the polycrystalline SiC molded body, the area fraction of the first structure in the main surface is more than 0% and less than 50%, the average crystal grain size is 5 μm or less, and in the X-ray diffraction pattern on the main surface, the ratio of the X-ray diffraction peak intensity of the SiC (111) plane to the total X-ray diffraction peak intensity of SiC (111) plane, SiC (200) plane, SiC (220) plane, and SiC (311) plane is 0.8 or more.
La présente invention concerne un corps moulé en SiC polycristallin comprenant une première structure et une seconde structure, le corps moulé en SiC polycristallin étant en forme de plaque et ayant une surface principale sensiblement plate, la première structure étant un SiC polycristallin ayant une structure cristalline de type 3C, la seconde structure étant différente de la première structure, dans la première structure, le plan (111), le plan (200), le plan (220) ou le plan (311) est orienté le long d'une direction sensiblement normale par rapport à la surface principale du corps moulé en SiC polycristallin, la fraction de surface de la première structure dans la surface principale est supérieure à 0 % et inférieure à 50 %, la taille moyenne de grain cristallin est de 5 µm ou moins, et dans le diagramme de diffraction par rayons X sur la surface principale, le rapport de l'intensité de pic de diffraction par rayons X du plan (111) de SiC sur l'intensité totale de pic de diffraction par rayons X du plan (111) de SiC, du plan (200) de SiC, du plan (220) de SiC et du plan (311) de SiC est de 0,8 ou plus.
第１の組織と第２の組織とからなる多結晶ＳｉＣ成形体であって、前記多結晶ＳｉＣ成形体は、板状であって、略平面の主面を有し、前記第１の組織は、３Ｃ型結晶構造を有する多結晶ＳｉＣであって、前記第２の組織は、前記第１の組織と異なる組織であり、前記第１の組織は、前記多結晶ＳｉＣ成形体の前記主面の略法線方向に沿って、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面又は（３１１）面が配向した組織であり、前記主面における前記第１の組織の面積分率が０％超５０％未満であり、平均結晶粒径が５μｍ以下であり、前記主面におけるＸ線回折パターンにおいて、ＳｉＣ（１１１）面、ＳｉＣ（２００）面、ＳｉＣ（２２０）面、およびＳｉＣ（３１１）面のＸ線回折ピーク強度の合計に対する、ＳｉＣ（１１１）面のＸ線回折ピーク強度の比率が、０．８以上である、多結晶ＳｉＣ成形体。
POLYCRYSTALLINE SiC MOLDED BODY
CORPS MOULÉ EN SiC POLYCRISTALLIN
多結晶ＳｉＣ成形体
IIDA TAKUJI (author) / TAKAHASHI IKUYA (author) / FUKUDA TAKASHI (author) / JINDO HIROYUKI (author) / YASHIKIDA REIKO (author)
2023-06-29
Patent
Electronic Resource
Japanese
POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2024
POLYCRYSTALLINE SIC MOLDED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2023