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SILICON CARBIDE CERAMIC AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
A purpose of the present invention is to provide a new silicon carbide ceramic having excellent durability. The silicon carbide ceramic comprises a silicon carbide ceramic base and a coating layer covering a surface of the base, and is characterized in that (1) the coating layer includes a silicic acid salt which is an eutectic product of reaction between silicon dioxide derived from the silicon carbide ceramic base and a metal oxide derived from both the silicon carbide ceramic base and a coating-layer precursor and (2) the coating layer has a content of the silicic acid salt of 80 vol% or higher.
L'un des objets de la présente invention est de fournir une nouvelle céramique de carbure de silicium présentant une excellente durabilité. La céramique de carbure de silicium comprend une base céramique de carbure de silicium et une couche de revêtement recouvrant une surface de la base, et est caractérisée en ce que (1) la couche de revêtement comprend un sel d'acide silicique qui est un produit eutectique de réaction entre le dioxyde de silicium dérivé de la base céramique de carbure de silicium et un oxyde métallique dérivé à la fois de la base céramique de carbure de silicium et d'un précurseur de couche de revêtement et (2) la couche de revêtement présente une teneur en sel d'acide silicique supérieure ou égale à 80 % en volume.
本開示は、耐久性に優れた新たな炭化ケイ素セラミックスを提供することを目的とする。炭化ケイ素セラミックス基材とその表面を被覆する被覆層とを備える炭化ケイ素セラミックスであって、（１）前記被覆層は、前記炭化ケイ素セラミックス基材に由来する二酸化ケイ素と前記炭化ケイ素セラミックス基材及び被覆層前駆体に由来する金属酸化物との共晶反応物であるケイ酸塩を含有し、（２）前記被覆層中、前記ケイ酸塩の含有量が８０体積％以上である、ことを特徴とする炭化ケイ素セラミックス。
SILICON CARBIDE CERAMIC AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
A purpose of the present invention is to provide a new silicon carbide ceramic having excellent durability. The silicon carbide ceramic comprises a silicon carbide ceramic base and a coating layer covering a surface of the base, and is characterized in that (1) the coating layer includes a silicic acid salt which is an eutectic product of reaction between silicon dioxide derived from the silicon carbide ceramic base and a metal oxide derived from both the silicon carbide ceramic base and a coating-layer precursor and (2) the coating layer has a content of the silicic acid salt of 80 vol% or higher.
L'un des objets de la présente invention est de fournir une nouvelle céramique de carbure de silicium présentant une excellente durabilité. La céramique de carbure de silicium comprend une base céramique de carbure de silicium et une couche de revêtement recouvrant une surface de la base, et est caractérisée en ce que (1) la couche de revêtement comprend un sel d'acide silicique qui est un produit eutectique de réaction entre le dioxyde de silicium dérivé de la base céramique de carbure de silicium et un oxyde métallique dérivé à la fois de la base céramique de carbure de silicium et d'un précurseur de couche de revêtement et (2) la couche de revêtement présente une teneur en sel d'acide silicique supérieure ou égale à 80 % en volume.
本開示は、耐久性に優れた新たな炭化ケイ素セラミックスを提供することを目的とする。炭化ケイ素セラミックス基材とその表面を被覆する被覆層とを備える炭化ケイ素セラミックスであって、（１）前記被覆層は、前記炭化ケイ素セラミックス基材に由来する二酸化ケイ素と前記炭化ケイ素セラミックス基材及び被覆層前駆体に由来する金属酸化物との共晶反応物であるケイ酸塩を含有し、（２）前記被覆層中、前記ケイ酸塩の含有量が８０体積％以上である、ことを特徴とする炭化ケイ素セラミックス。
SILICON CARBIDE CERAMIC AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
CÉRAMIQUE DE CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
炭化ケイ素セラミックス及びその製造方法
HINOKI TATSUYA (author) / SAKAI HIROYUKI (author)
2023-09-07
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2022
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2024
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2022
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2024