A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The present invention provides a crystalline silicon nitride powder which is easily sinterable and enables the achievement of a silicon nitride sintered body that has excellent sintered body characteristics such as high-temperature strength. The present invention also provides a crystalline silicon nitride powder which enables the production of a silicon nitride sintered body that has excellent thermal conductivity, while having sufficient mechanical strength. The present invention also provides a method for producing a silicon nitride sintered body which has both high bending strength and excellent thermal conductivity at the same time. This crystalline silicon nitride powder is characterized in that: the specific surface area (SA) as determined by a BET method is 3 m2/g to 16 m2/g; the surface oxygen amount (FSO) as determined by temperature-programmed morphology analysis is 0.2% by mass to 0.6% by mass; the internal oxygen amount (FIO) as determined by temperature-programmed morphology analysis is 0.4% by mass to 1.3% by mass; the ratio (FSO/SA) of the surface oxygen amount to the BET specific surface area is not less than 0.25 mg/m2 but less than 0.50 mg/m2; and the median diameter D50 in the volume-based cumulative particle size distribution as determined by a laser diffraction/scattering method is 0.5 µm to 1.0 µm.
La présente invention concerne une poudre de nitrure de silicium cristalline qui est facilement frittable et permet d'obtenir un corps fritté de nitrure de silicium qui présente d'excellentes caractéristiques de corps fritté telles qu'une résistance à haute température. La présente invention concerne également une poudre de nitrure de silicium cristalline qui permet la production d'un corps fritté de nitrure de silicium qui présente une excellente conductivité thermique, tout en ayant une résistance mécanique suffisante. La présente invention concerne également une méthode de production d'un corps fritté de nitrure de silicium qui présente à la fois une résistance à la flexion élevée et une excellente conductivité thermique. Cette poudre de nitrure de silicium cristalline est caractérisée en ce que : la surface spécifique (SA) telle que déterminée par une méthode BET est de 3 m2/g à 16 m2/g ; la quantité d'oxygène de surface (FSO) telle que déterminée par analyse de morphologie programmée en température est de 0,2 % en masse à 0,6 % en masse ; la quantité d'oxygène interne (FIO) telle que déterminée par analyse de morphologie programmée en température est de 0,4 % en masse à 1,3 % en masse ; le rapport (FSO/SA) de la quantité d'oxygène de surface à la surface spécifique BET n'est pas inférieur à 0,25 mg/m2 mais inférieur à 0,50 mg/m2 ; et le diamètre médian D50 dans la distribution de taille de particule cumulative basée sur le volume telle que déterminée par une méthode de diffraction/diffusion laser est de 0,5 µm à 1,0 µm.
本発明は、易焼結性で高温強度等の焼結体特性に優れた窒化ケイ素質焼結体を得ることができる結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。また、十分な機械的強度を有すると共に、熱伝導性に優れた窒化ケイ素質焼結体の製造を可能にする結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。さらに、本発明は、高い曲げ強度と優れた熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素質焼結体の製造方法を提供する。 ＢＥＴ法による比表面積（ＳＡ）が３ｍ２／ｇ以上１６ｍ２／ｇ以下であり、昇温形態分析により測定された表面酸素量（ＦＳＯ）が０．２質量％以上０．６質量％以下、昇温形態分析により測定された内部酸素量（ＦＩＯ）が０．４質量％以上１．３質量％以下であり、ＢＥＴ比表面積に対する前記表面酸素量の比（ＦＳＯ／ＳＡ）が０．２５ｍｇ／ｍ２以上０．５０ｍｇ／ｍ２未満であり、レーザー回折・散乱法により測定した体積基準の累積粒度分布におけるメジアン径Ｄ５０が０．５μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末。
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The present invention provides a crystalline silicon nitride powder which is easily sinterable and enables the achievement of a silicon nitride sintered body that has excellent sintered body characteristics such as high-temperature strength. The present invention also provides a crystalline silicon nitride powder which enables the production of a silicon nitride sintered body that has excellent thermal conductivity, while having sufficient mechanical strength. The present invention also provides a method for producing a silicon nitride sintered body which has both high bending strength and excellent thermal conductivity at the same time. This crystalline silicon nitride powder is characterized in that: the specific surface area (SA) as determined by a BET method is 3 m2/g to 16 m2/g; the surface oxygen amount (FSO) as determined by temperature-programmed morphology analysis is 0.2% by mass to 0.6% by mass; the internal oxygen amount (FIO) as determined by temperature-programmed morphology analysis is 0.4% by mass to 1.3% by mass; the ratio (FSO/SA) of the surface oxygen amount to the BET specific surface area is not less than 0.25 mg/m2 but less than 0.50 mg/m2; and the median diameter D50 in the volume-based cumulative particle size distribution as determined by a laser diffraction/scattering method is 0.5 µm to 1.0 µm.
La présente invention concerne une poudre de nitrure de silicium cristalline qui est facilement frittable et permet d'obtenir un corps fritté de nitrure de silicium qui présente d'excellentes caractéristiques de corps fritté telles qu'une résistance à haute température. La présente invention concerne également une poudre de nitrure de silicium cristalline qui permet la production d'un corps fritté de nitrure de silicium qui présente une excellente conductivité thermique, tout en ayant une résistance mécanique suffisante. La présente invention concerne également une méthode de production d'un corps fritté de nitrure de silicium qui présente à la fois une résistance à la flexion élevée et une excellente conductivité thermique. Cette poudre de nitrure de silicium cristalline est caractérisée en ce que : la surface spécifique (SA) telle que déterminée par une méthode BET est de 3 m2/g à 16 m2/g ; la quantité d'oxygène de surface (FSO) telle que déterminée par analyse de morphologie programmée en température est de 0,2 % en masse à 0,6 % en masse ; la quantité d'oxygène interne (FIO) telle que déterminée par analyse de morphologie programmée en température est de 0,4 % en masse à 1,3 % en masse ; le rapport (FSO/SA) de la quantité d'oxygène de surface à la surface spécifique BET n'est pas inférieur à 0,25 mg/m2 mais inférieur à 0,50 mg/m2 ; et le diamètre médian D50 dans la distribution de taille de particule cumulative basée sur le volume telle que déterminée par une méthode de diffraction/diffusion laser est de 0,5 µm à 1,0 µm.
本発明は、易焼結性で高温強度等の焼結体特性に優れた窒化ケイ素質焼結体を得ることができる結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。また、十分な機械的強度を有すると共に、熱伝導性に優れた窒化ケイ素質焼結体の製造を可能にする結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。さらに、本発明は、高い曲げ強度と優れた熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素質焼結体の製造方法を提供する。 ＢＥＴ法による比表面積（ＳＡ）が３ｍ２／ｇ以上１６ｍ２／ｇ以下であり、昇温形態分析により測定された表面酸素量（ＦＳＯ）が０．２質量％以上０．６質量％以下、昇温形態分析により測定された内部酸素量（ＦＩＯ）が０．４質量％以上１．３質量％以下であり、ＢＥＴ比表面積に対する前記表面酸素量の比（ＦＳＯ／ＳＡ）が０．２５ｍｇ／ｍ２以上０．５０ｍｇ／ｍ２未満であり、レーザー回折・散乱法により測定した体積基準の累積粒度分布におけるメジアン径Ｄ５０が０．５μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末。
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM ET MÉTHODE POUR PRODUIRE UN CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素粉末、および窒化ケイ素質焼結体の製造方法
OHMARU TAKUJI (author) / SHIBATA KOJI (author) / FUJII TAKAYUKI (author) / YAMADA TETSUO (author)
2023-09-21
Patent
Electronic Resource
Japanese
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2025
SILICON NITRIDE POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2022
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2021
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2018
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| European Patent Office | 2022