A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME
A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.
La présente invention concerne un matériau de départ liquide SiOC dopé fournit un polymère de type P dérivé de matières céramiques cristallines SiC, y compris des boules et des plaquettes. La présente invention concerne également des dispositifs électroniques SiC de type P. La présente invention concerne en outre des cristaux, plaquettes et boules de SiC à faible résistivité, possédant du phosphore comme dopant. La présente invention concerne finalement des matériaux de sources de charges formées en SiC dopé par des céramiques dérivées de polymères pour la croissance par dépôt en phase vapeur de cristaux de SiC dopés.
SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME
A doped SiOC liquid starting material provides a p-type polymer derived ceramic SiC crystalline materials, including boules and wafers. P-type SiC electronic devices. Low resistivity SiC crystals, wafers and boules, having phosphorous as a dopant. Polymer derived ceramic doped SiC shaped charge source materials for vapor deposition growth of doped SiC crystals.
La présente invention concerne un matériau de départ liquide SiOC dopé fournit un polymère de type P dérivé de matières céramiques cristallines SiC, y compris des boules et des plaquettes. La présente invention concerne également des dispositifs électroniques SiC de type P. La présente invention concerne en outre des cristaux, plaquettes et boules de SiC à faible résistivité, possédant du phosphore comme dopant. La présente invention concerne finalement des matériaux de sources de charges formées en SiC dopé par des céramiques dérivées de polymères pour la croissance par dépôt en phase vapeur de cristaux de SiC dopés.
SIC P-TYPE, AND LOW RESISTIVITY, CRYSTALS, BOULES, WAFERS AND DEVICES, AND METHODS OF MAKING THE SAME
CRISTAUX, BOULES, PLAQUETTES ET DISPOSITIFS DE TYPE SIC P ET DE FAIBLE RÉSISTIVITÉ, ET PROCÉDÉS POUR LES FABRIQUER
HANSEN DARREN (author) / DUKES DOUGLAS (author) / LOBODA MARK (author) / LAND MARK (author) / ROJO JUAN (author) / TORRES VICTOR (author)
2023-01-12
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
B01J
Chemische oder physikalische Verfahren, z.B. Katalyse oder Kolloidchemie
,
CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY
/
B28B
Formgeben von Ton oder anderen keramischen Stoffzusammensetzungen, Schlacke oder von Mischungen, die zementartiges Material enthalten, z.B. Putzmörtel
,
SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS, SLAG OR MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
/
C01B
NON-METALLIC ELEMENTS
,
Nichtmetallische Elemente
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2024
Resistivity Distribution in Undoped 6H-SiC Boules and Wafers
| British Library Online Contents | 2006