A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMATION, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMATION, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Provided are: a sputtering target for oxide semiconductor thin film formation with which can be formed an oxide semiconductor thin film suitable for an active layer with both high mobility and a high band gap; a method for producing the same; an oxide semiconductor thin film; and a thin film semiconductor device and a method for producing the same. This sputtering target for oxide semiconductor thin film formation for forming an oxide semiconductor thin film is formed from an oxide sintered body including a prescribed oxide. When the elemental ratio of the prescribed oxide is InXSnYGewZnZ, X is 0.245-0.5, Y is 0.1-0.3, Z is 0.2-0.655, X+Y+Z = 1, and W/(W+X+Y+Z) is 0.01-0.03.
L'invention concerne : une cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur avec laquelle peut être formé un film mince d'oxyde semi-conducteur approprié en tant que couche active présentant à la fois une grande mobilité et une bande interdite élevée ; un procédé de production de celle-ci ; un film mince d'oxyde semi-conducteur ; et un dispositif semi-conducteur à film mince et son procédé de production. Cette cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur servant à former un film mince d'oxyde semi-conducteur est formée à partir d'un corps fritté à base d'oxyde comprenant un oxyde prédéfini. Lorsque le rapport élémentaire dudit oxyde prédéfini est InXSnYGeWZnZ, X est compris entre 0,245 et 0,5, Y est compris entre 0,1 et 0,3, Z est compris entre 0,2 et 0,655, X + Y + Z = 1 et W/(W + X + Y + Z) est compris entre 0,01 et 0,03.
高移動度と高バンドギャップの両立を図った活性層に適した酸化物半導体薄膜を形成できる酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法、酸化物半導体薄膜、さらには薄膜半導体装置及びその製造方法を実現する。 酸化物半導体薄膜を形成する酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットであって、所定の酸化物を含む酸化物焼結体で構成され、前記所定の酸化物の元素比をＩｎＸＳｎＹＧｅｗＺｎＺとしたとき、Ｘが０．２４５～０．５、Ｙが０．１～０．３であり、Ｚが０．２～０．６５５で、且つＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１となる範囲であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が０．０１以上０．０３以下である、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMATION, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMATION, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Provided are: a sputtering target for oxide semiconductor thin film formation with which can be formed an oxide semiconductor thin film suitable for an active layer with both high mobility and a high band gap; a method for producing the same; an oxide semiconductor thin film; and a thin film semiconductor device and a method for producing the same. This sputtering target for oxide semiconductor thin film formation for forming an oxide semiconductor thin film is formed from an oxide sintered body including a prescribed oxide. When the elemental ratio of the prescribed oxide is InXSnYGewZnZ, X is 0.245-0.5, Y is 0.1-0.3, Z is 0.2-0.655, X+Y+Z = 1, and W/(W+X+Y+Z) is 0.01-0.03.
L'invention concerne : une cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur avec laquelle peut être formé un film mince d'oxyde semi-conducteur approprié en tant que couche active présentant à la fois une grande mobilité et une bande interdite élevée ; un procédé de production de celle-ci ; un film mince d'oxyde semi-conducteur ; et un dispositif semi-conducteur à film mince et son procédé de production. Cette cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur servant à former un film mince d'oxyde semi-conducteur est formée à partir d'un corps fritté à base d'oxyde comprenant un oxyde prédéfini. Lorsque le rapport élémentaire dudit oxyde prédéfini est InXSnYGeWZnZ, X est compris entre 0,245 et 0,5, Y est compris entre 0,1 et 0,3, Z est compris entre 0,2 et 0,655, X + Y + Z = 1 et W/(W + X + Y + Z) est compris entre 0,01 et 0,03.
高移動度と高バンドギャップの両立を図った活性層に適した酸化物半導体薄膜を形成できる酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法、酸化物半導体薄膜、さらには薄膜半導体装置及びその製造方法を実現する。 酸化物半導体薄膜を形成する酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットであって、所定の酸化物を含む酸化物焼結体で構成され、前記所定の酸化物の元素比をＩｎＸＳｎＹＧｅｗＺｎＺとしたとき、Ｘが０．２４５～０．５、Ｙが０．１～０．３であり、Ｚが０．２～０．６５５で、且つＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１となる範囲であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が０．０１以上０．０３以下である、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMATION, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMATION, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
CIBLE DE PULVÉRISATION POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CIBLE DE PULVÉRISATION POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, FILM MINCE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法
TANINO KENTA (author) / HANNA TAKU (author) / TAKEUCHI MASATO (author) / TEZUKA NAOTO (author)
2024-03-21
Patent
Electronic Resource
Japanese
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