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METHOD OF MAKING HIGH ROBUSTNESS E-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
The present disclosure relates to a device (102) and a method (3100) for a High Electron Mobility Transistor (HEMT). The HEMT device (102) includes a gate structure (104) with a p-gallium nitride (p-GaN) structure (106) disposed over a heterojunction structure, where a sidewall slope (114) is configured with the p-GaN structure (106). The gate structure (104) includes a p-type Aluminium Titanium Oxide (AlTiO) layer (116) deposited on the p-GaN structure (106). The gate structure (104) includes a metal layer (118) disposed on the p-type AlTiO layer (116). A passivation layer (120-1, 120-2, 120-3) is disposed on the heterojunction structure and abuts the gate structure (104).
La présente divulgation concerne un dispositif (102) et un procédé (3100) pour un transistor à haute mobilité électronique (HEMT). Le dispositif HEMT (102) comprend une structure de grille (104) avec une structure de nitrure de p-gallium (p-GaN) (106) disposée sur une structure à hétérojonction, une pente de paroi latérale (114) étant conçue avec la structure p-GaN (106). La structure de grille (104) comporte une couche d'oxyde d'aluminium et de titane (AlTiO) de type p (116) déposée sur la structure p-GaN (106). La structure de grille (104) comporte également une couche métallique (118) disposée sur la couche d'AlTiO de type p (116). Une couche de passivation (120-1, 120-2, 120-3) est disposée sur la structure d'hétérojonction et vient en butée contre la structure de grille (104).
METHOD OF MAKING HIGH ROBUSTNESS E-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
The present disclosure relates to a device (102) and a method (3100) for a High Electron Mobility Transistor (HEMT). The HEMT device (102) includes a gate structure (104) with a p-gallium nitride (p-GaN) structure (106) disposed over a heterojunction structure, where a sidewall slope (114) is configured with the p-GaN structure (106). The gate structure (104) includes a p-type Aluminium Titanium Oxide (AlTiO) layer (116) deposited on the p-GaN structure (106). The gate structure (104) includes a metal layer (118) disposed on the p-type AlTiO layer (116). A passivation layer (120-1, 120-2, 120-3) is disposed on the heterojunction structure and abuts the gate structure (104).
La présente divulgation concerne un dispositif (102) et un procédé (3100) pour un transistor à haute mobilité électronique (HEMT). Le dispositif HEMT (102) comprend une structure de grille (104) avec une structure de nitrure de p-gallium (p-GaN) (106) disposée sur une structure à hétérojonction, une pente de paroi latérale (114) étant conçue avec la structure p-GaN (106). La structure de grille (104) comporte une couche d'oxyde d'aluminium et de titane (AlTiO) de type p (116) déposée sur la structure p-GaN (106). La structure de grille (104) comporte également une couche métallique (118) disposée sur la couche d'AlTiO de type p (116). Une couche de passivation (120-1, 120-2, 120-3) est disposée sur la structure d'hétérojonction et vient en butée contre la structure de grille (104).
METHOD OF MAKING HIGH ROBUSTNESS E-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE EN E-MODE À ROBUSTESSE ÉLEVÉE
MALIK RASIK RASHID (author) / SHRIVASTAVA MAYANK (author)
2025-03-13
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10D
Hall mobility profiling in high electron mobility transistor structures
| British Library Online Contents | 1993
Hydrogen Sensing Characteristics of High Electron Mobility Transistor with a Catalytic Pd Metal
| British Library Online Contents | 2007
| Wiley | 2022
| British Library Online Contents | 2008
A High Transconductance Accumulation Mode Electrochemical Transistor
| British Library Online Contents | 2014