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    Titel:

    Measurement of Interstitial Oxygen Striations in Silicon Single Crystals Using the Micro-FTIR Method

    Beteiligte:

    Iino, E. (Autor:in) / Fusegawa, I. (Autor:in) / Yamagishi, H. (Autor:in) / Taguchi, T.

    Erschienen in:

    Shallow Impurities in Semiconductors ; 189

    MATERIALS SCIENCE FORUM

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    189 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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