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Impurities and Point Defects in GaAs and AlAs Grown by Atomic Layer Epitaxy

Ikuta, K. / Yokoyama, H. / Inoue, N.

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Titel:

Impurities and Point Defects in GaAs and AlAs Grown by Atomic Layer Epitaxy

Beteiligte:

Ikuta, K. (Autor:in) / Yokoyama, H. (Autor:in) / Inoue, N. (Autor:in) / Taguchi, T.

Erschienen in:

Shallow Impurities in Semiconductors ; 291

MATERIALS SCIENCE FORUM

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

291 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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