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    Titel:

    Si Doping of GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy on Different Substrate Orientations

    Beteiligte:

    Pavesi, L. (Autor:in) / Piazza, F. (Autor:in) / Harrison, I. (Autor:in) / Henini, M. (Autor:in) / Taguchi, T.

    Erschienen in:

    Shallow Impurities in Semiconductors ; 387

    MATERIALS SCIENCE FORUM

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    387 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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