Effect of Hydrogen Passivation on Lightly n-Doped GaAs: Fid-Bau Portal

Effect of Hydrogen Passivation on Lightly n-Doped GaAs

Chen, C. J. / Chang, Y. H. / Chen, T. C. / Li, S. H.

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Titel:

Effect of Hydrogen Passivation on Lightly n-Doped GaAs

Beteiligte:

Chen, C. J. (Autor:in) / Chang, Y. H. (Autor:in) / Chen, T. C. (Autor:in) / Li, S. H. (Autor:in) / Taguchi, T.

Erschienen in:

Shallow Impurities in Semiconductors ; 429

MATERIALS SCIENCE FORUM

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

429 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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