Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Carbon doped GaAs and AlGaAs grown by OMVPE: doping properties, oxygen incorporation, and hydrogen passivation

    Neue Suche nach: Hobson, W. S.
    Neue Suche nach: Pearton, S. J.
    Neue Suche nach: Ren, F.
    Neue Suche nach: Cheng, Y.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Carbon doped GaAs and AlGaAs grown by OMVPE: doping properties, oxygen incorporation, and hydrogen passivation

    Neue Suche nach: Hobson, W. S.
    Neue Suche nach: Pearton, S. J.
    Neue Suche nach: Ren, F.
    Neue Suche nach: Cheng, Y.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Carbon doped GaAs and AlGaAs grown by OMVPE: doping properties, oxygen incorporation, and hydrogen passivation

    Neue Suche nach: Hobson, W. S.
    Neue Suche nach: Pearton, S. J.
    Neue Suche nach: Ren, F.
    Neue Suche nach: Cheng, Y.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Carbon doped GaAs and AlGaAs grown by OMVPE: doping properties, oxygen incorporation, and hydrogen passivation

    Beteiligte:

    Hobson, W. S. (Autor:in) / Pearton, S. J. (Autor:in) / Ren, F. (Autor:in) / Cheng, Y. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 20 ; 266

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    266 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Hydrogen Passivation of Shallow Impurities in GaAs/AlGaAs Quantum Wells

    Harris, C. I. / Stutzmann, M. / Kohler, K. | British Library Online Contents | 1993

    Carbon incorporation mechanism in atomic layer epitaxy of GaAs and AlGaAs

    Kobayashi, N. / Makimoto, T. | British Library Online Contents | 1994

    Microstructural characteristics of (110) InGaAs layers grown by OMVPE

    Vardya, R. / Mahajan, S. / Bhat, R. | British Library Online Contents | 1995

    Effect of Hydrogen Passivation on Lightly n-Doped GaAs

    Chen, C. J. / Chang, Y. H. / Chen, T. C. et al. | British Library Online Contents | 1993

    Investigation of MBE grown GaAs/AlGaAs/InGaAs heterostructures

    Melkadze, R. / Khuchua, N. / Tchakhnakia, Z. et al. | British Library Online Contents | 2001

    Nach oben