Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Multiplicity and Lattice Relaxation of DX Center in AlGaAs:Si Studied by Electron Emission Spectra under Pressure

    Neue Suche nach: Takarabe, K.
    Neue Suche nach: Ashizawa, H.
    Neue Suche nach: Minomura, S.
    Neue Suche nach: Kato, H.
    Neue Suche nach: Taguchi, T.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Multiplicity and Lattice Relaxation of DX Center in AlGaAs:Si Studied by Electron Emission Spectra under Pressure

    Neue Suche nach: Takarabe, K.
    Neue Suche nach: Ashizawa, H.
    Neue Suche nach: Minomura, S.
    Neue Suche nach: Kato, H.
    Neue Suche nach: Taguchi, T.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Multiplicity and Lattice Relaxation of DX Center in AlGaAs:Si Studied by Electron Emission Spectra under Pressure

    Neue Suche nach: Takarabe, K.
    Neue Suche nach: Ashizawa, H.
    Neue Suche nach: Minomura, S.
    Neue Suche nach: Kato, H.
    Neue Suche nach: Taguchi, T.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Multiplicity and Lattice Relaxation of DX Center in AlGaAs:Si Studied by Electron Emission Spectra under Pressure

    Beteiligte:

    Takarabe, K. (Autor:in) / Ashizawa, H. (Autor:in) / Minomura, S. (Autor:in) / Kato, H. (Autor:in) / Taguchi, T.

    Erschienen in:

    Shallow Impurities in Semiconductors ; 447

    MATERIALS SCIENCE FORUM

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    447 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Effect of strain amplitude on relaxation spectra of attenuation in dry and saturated sandstone under pressure

    E I Mashinskii | IOP Institute of Physics | 2007

    Cement Clinker Studied by Proton and Electron Induced X-Ray Emission

    Emanuelson, A. / Elfman, M. / Hansen, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1999

    Dependence of Electron Energy Relaxation on Lattice Strain in InGaAs 2DEG Channels

    Matulionis, A. / Aninkevicius, V. / Liberis, J. et al. | British Library Online Contents | 1999

    Internal lattice relaxation of single-layer graphene under in-plane deformation

    Zhou, J. / Huang, R. | British Library Online Contents | 2008

    The Theory of Relaxation Spectra

    Nechitailo, V. S. | British Library Online Contents | 1992

    Nach oben