Electron microscopy study of oxidation-induced defects at the silicon-silicon-dioxide interface: Fid-Bau Portal

Electron microscopy study of oxidation-induced defects at the silicon-silicon-dioxide interface

Correia, A. / Ballutaud, D. / Maurice, J. L. / Cornier, C. P.

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Titel:

Electron microscopy study of oxidation-induced defects at the silicon-silicon-dioxide interface

Beteiligte:

Correia, A. (Autor:in) / Ballutaud, D. (Autor:in) / Maurice, J. L. (Autor:in) / Cornier, C. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 18 ; 269

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

269 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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