Low temperature molecular beam epitaxy of Al(Ga)InAs on InP and its application to high electron mobility transistor structures: Fid-Bau Portal

Low temperature molecular beam epitaxy of Al(Ga)InAs on InP and its application to high electron mobility transistor structures

Kuenzel, H. / Boettcher, J. / Hase, A. / Heedt, C.

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Titel:

Low temperature molecular beam epitaxy of Al(Ga)InAs on InP and its application to high electron mobility transistor structures

Beteiligte:

Kuenzel, H. (Autor:in) / Boettcher, J. (Autor:in) / Hase, A. (Autor:in) / Heedt, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 22 ; 89

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

89 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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