Optimization of InxGa1-xP/In0.2Ga0.8As/GaAs high electron mobility transistor structures grown by solid source molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Optimization of InxGa1-xP/In0.2Ga0.8As/GaAs high electron mobility transistor structures grown by solid source molecular beam epitaxy

Zheng, H. Q. / Yoon, S. F. / Gay, B. P. / Mah, K. W. / Radhakrishnan, K. / Ng, G. I.

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Titel:

Optimization of InxGa1-xP/In0.2Ga0.8As/GaAs high electron mobility transistor structures grown by solid source molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Zheng, H. Q. (Autor:in) / Yoon, S. F. (Autor:in) / Gay, B. P. (Autor:in) / Mah, K. W. (Autor:in) / Radhakrishnan, K. (Autor:in) / Ng, G. I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 75 ; 110 - 114

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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