Coexistence of the DX^0 and DX-State in Heavily Doped GaAs:Si?: Fid-Bau Portal

Coexistence of the DX^0 and DX-State in Heavily Doped GaAs:Si?

Goutiers, B. / Dmowski, L. / Willke, U. / Harris, J. J.

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Titel:

Coexistence of the DX^0 and DX-State in Heavily Doped GaAs:Si?

Beteiligte:

Goutiers, B. (Autor:in) / Dmowski, L. (Autor:in) / Willke, U. (Autor:in) / Harris, J. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 1161

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

1161 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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