Position of the Hydrogen Acceptor Level in n-GaAs:Si and n-AlGaAs:Si Deduced from Hydrogen Diffusion Modelling: Fid-Bau Portal

Position of the Hydrogen Acceptor Level in n-GaAs:Si and n-AlGaAs:Si Deduced from Hydrogen Diffusion Modelling

Machayekhi, B. / Rahbi, R. / Theys, B. / Miloche, M.

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Titel:

Position of the Hydrogen Acceptor Level in n-GaAs:Si and n-AlGaAs:Si Deduced from Hydrogen Diffusion Modelling

Beteiligte:

Machayekhi, B. (Autor:in) / Rahbi, R. (Autor:in) / Theys, B. (Autor:in) / Miloche, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 951

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

951 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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