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    Titel:

    Strain Relaxation During Epitaxial Crystallization of Ge~xSi~1~-~x Alloy Layers Produced by Ion-Implantation

    Beteiligte:

    Elliman, R. G. (Autor:in) / Wong, W. C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 507

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1994

    Format / Umfang:

    507 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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