Relaxation of thermal strain in GaN epitaxial layers grown on sapphire: Fid-Bau Portal

Relaxation of thermal strain in GaN epitaxial layers grown on sapphire

Gfroerer, O. / Schluesener, T. / Haerle, V. / Scholz, F. / Hangleiter, A.

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Titel:

Relaxation of thermal strain in GaN epitaxial layers grown on sapphire

Beteiligte:

Gfroerer, O. (Autor:in) / Schluesener, T. (Autor:in) / Haerle, V. (Autor:in) / Scholz, F. (Autor:in) / Hangleiter, A. (Autor:in) / Aulombard, R. L. / Cavenett, B. C. / Gil, B. / Triboulet, R.

Erschienen in:

Solid-State Materials for Advanced Technology ; 250-252

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 43

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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