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    The Si/SiO~2 interface trap density in boron/germanium- and phosphorus/germanium-implanted silicon

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    Titel:

    The Si/SiO~2 interface trap density in boron/germanium- and phosphorus/germanium-implanted silicon

    Beteiligte:

    Peterstroem, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 74 ; 243

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1994

    Format / Umfang:

    243 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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