Determination of carrier and impurity profiles in doped n-type quantum well structures: Fid-Bau Portal

Determination of carrier and impurity profiles in doped n-type quantum well structures

Dickey, S. A. / Lu, Z. H. / Mao, E. / Oh, E. G.

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Titel:

Determination of carrier and impurity profiles in doped n-type quantum well structures

Beteiligte:

Dickey, S. A. (Autor:in) / Lu, Z. H. (Autor:in) / Mao, E. (Autor:in) / Oh, E. G. (Autor:in) / Fornani, R.

Erschienen in:

2nd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies ; 341

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 28

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

341 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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