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    Titel:

    Deep level transient spectroscopy investigation of GaAs grown by atomic layer molecular beam epitaxy

    Beteiligte:

    Bosacchi, A. (Autor:in) / Gombia, E. (Autor:in) / Madella, M. (Autor:in) / Mosca, R. (Autor:in) / Fornani, R.

    Erschienen in:

    2nd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies ; 400

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 28

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1994

    Format / Umfang:

    400 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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