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Raman Study of "Boson Peak" in Amorphous Silicon: Dependence on Hydrogen and Carbon Content

Ivanda, M. / Hartmann, I. / Duschek, F. / Kiefer, W.

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Titel:

Raman Study of "Boson Peak" in Amorphous Silicon: Dependence on Hydrogen and Carbon Content

Beteiligte:

Ivanda, M. (Autor:in) / Hartmann, I. (Autor:in) / Duschek, F. (Autor:in) / Kiefer, W. (Autor:in) / Brieger, M. / Dittrich, H. / Klose, M. / Schock, H. W.

Erschienen in:

Applications in Photovoltaics ; 243

MATERIALS SCIENCE FORUM

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

243 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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