Annealing Processes of Vacancies in Silicon Induced by Electron Irradiation: Analysis Using Positron Lifetime Measurement: Fid-Bau Portal

Annealing Processes of Vacancies in Silicon Induced by Electron Irradiation: Analysis Using Positron Lifetime Measurement

Kawasuso, A. / Hasegawa, M. / Suezawa, M. / Yamaguchi, S.

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Titel:

Annealing Processes of Vacancies in Silicon Induced by Electron Irradiation: Analysis Using Positron Lifetime Measurement

Beteiligte:

Kawasuso, A. (Autor:in) / Hasegawa, M. (Autor:in) / Suezawa, M. (Autor:in) / Yamaguchi, S. (Autor:in) / He, Y.-J. / Cao, B.-S. / Jean, Y. C.

Erschienen in:

Positron Annihilation ICPA-10 ; 423

MATERIALS SCIENCE FORUM

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

423 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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