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    Titel:

    AES study of the GaAs-germanium oxynitride interface

    Beteiligte:

    Jishiashvili, D. (Autor:in) / Dzhanelidze, R. (Autor:in) / Shiolashvili, Z. (Autor:in) / Nakhutsrishvili, I. (Autor:in) / Heusler, K. E.

    Erschienen in:

    Passivation of Metals and Semiconductors ; 165

    MATERIALS SCIENCE FORUM

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    165 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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