Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Quantum Yield of Band-Edge Emission between 77 and 300 K of Undoped and Nitrogen-Doped ZnSe Epilayers Grown by MOVPE

    Neue Suche nach: Gurskii, A. L.
    Neue Suche nach: Gavrilenko, A. N.
    Neue Suche nach: Lutsenko, E. V.
    Neue Suche nach: Yablonskii, G. P.
    Neue Suche nach: Heinrich, H.
    Neue Suche nach: Mullin, J. B.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Quantum Yield of Band-Edge Emission between 77 and 300 K of Undoped and Nitrogen-Doped ZnSe Epilayers Grown by MOVPE

    Neue Suche nach: Gurskii, A. L.
    Neue Suche nach: Gavrilenko, A. N.
    Neue Suche nach: Lutsenko, E. V.
    Neue Suche nach: Yablonskii, G. P.
    Neue Suche nach: Heinrich, H.
    Neue Suche nach: Mullin, J. B.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Quantum Yield of Band-Edge Emission between 77 and 300 K of Undoped and Nitrogen-Doped ZnSe Epilayers Grown by MOVPE

    Neue Suche nach: Gurskii, A. L.
    Neue Suche nach: Gavrilenko, A. N.
    Neue Suche nach: Lutsenko, E. V.
    Neue Suche nach: Yablonskii, G. P.
    Neue Suche nach: Heinrich, H.
    Neue Suche nach: Mullin, J. B.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Quantum Yield of Band-Edge Emission between 77 and 300 K of Undoped and Nitrogen-Doped ZnSe Epilayers Grown by MOVPE

    Beteiligte:

    Gurskii, A. L. (Autor:in) / Gavrilenko, A. N. (Autor:in) / Lutsenko, E. V. (Autor:in) / Yablonskii, G. P. (Autor:in) / Heinrich, H. / Mullin, J. B.

    Erschienen in:

    II-VI Compounds and Semi-magnetic Semiconductors ; 243

    MATERIALS SCIENCE FORUM

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    243 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Non-linear emissions of MOVPE ZnSe epilayers

    Chergui, A. / Samah, M. / Bouguerra, M. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Photoreflectance, Reflectivity and Photoluminescence of MOVPE grown ZnSe/GaAs epilayers and ZnSeS/ZnSe superlattices

    Boemare, C. / Nazare, M. H. / Taudt, W. et al. | British Library Online Contents | 1995

    ZnCdSe-ZnSe heterostructures grown by MOVPE

    Cloitre, T. / Sanchez, S. / Chergui, A. et al. | British Library Online Contents | 1997

    SIMS Studies of Cl-Doped ZnSe Epilayers Grown by MBE

    Gard, F. S. / Riley, J. D. / Prince, K. | British Library Online Contents | 2006

    Analysis of nitrogen incorporation mechanisms in GaAs1-xNx/GaAs epilayers grown by MOVPE

    Dumont, H. / Auvray, L. / Monteil, Y. et al. | British Library Online Contents | 2001

    Nach oben