Analysis of nitrogen incorporation mechanisms in GaAs1-xNx/GaAs epilayers grown by MOVPE: Fid-Bau Portal

Analysis of nitrogen incorporation mechanisms in GaAs1-xNx/GaAs epilayers grown by MOVPE

Dumont, H. / Auvray, L. / Monteil, Y. / Bouix, J.

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Titel:

Analysis of nitrogen incorporation mechanisms in GaAs1-xNx/GaAs epilayers grown by MOVPE

Beteiligte:

Dumont, H. (Autor:in) / Auvray, L. (Autor:in) / Monteil, Y. (Autor:in) / Bouix, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 84 ; 258 - 264

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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