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Growth of Si -doped GaAs by low pressure metal organic vapour phase epitaxy

Li, G. / Jagadish, C.

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Titel:

Growth of Si -doped GaAs by low pressure metal organic vapour phase epitaxy

Beteiligte:

Li, G. (Autor:in) / Jagadish, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 33 ; 182

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

182 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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