Migration of silicon atoms in planar-doped GaAs/AlGaAs modulation doped fluid effect transistor heterostructures grown by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Migration of silicon atoms in planar-doped GaAs/AlGaAs modulation doped fluid effect transistor heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Carvalho, A. T. G. / De Oliveira, A. G. / Alves, E. S. / Baeta Moreira, M. V.

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Titel:

Migration of silicon atoms in planar-doped GaAs/AlGaAs modulation doped fluid effect transistor heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Carvalho, A. T. G. (Autor:in) / De Oliveira, A. G. (Autor:in) / Alves, E. S. (Autor:in) / Baeta Moreira, M. V. (Autor:in) / Henini, M. / Szweda, R.

Erschienen in:

Low Dimensional Structures and Devices ; 149-155

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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