Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric InGaAs/GaAs n-type �-doped quantum wells: Fid-Bau Portal

Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric InGaAs/GaAs n-type -doped quantum wells

Tabata, A. / Ceschin, A. M. / Quivy, A. A. / Levine, A. / Leite, J. R. / Enderlein, R. / Oliveira, J. B. B. / Laureto, E. / Goncalves, J. L.

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Tabata, A. / Ceschin, A. M. / Quivy, A. A. / Levine, A. / Leite, J. R. / Enderlein, R. / Oliveira, J. B. B. / Laureto, E. / Goncalves, J. L.

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Titel:

Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric InGaAs/GaAs n-type -doped quantum wells

Beteiligte:

Tabata, A. (Autor:in) / Ceschin, A. M. (Autor:in) / Quivy, A. A. (Autor:in) / Levine, A. (Autor:in) / Leite, J. R. (Autor:in) / Enderlein, R. (Autor:in) / Oliveira, J. B. B. (Autor:in) / Laureto, E. (Autor:in) / Goncalves, J. L. (Autor:in) / Henini, M.

Erschienen in:

Low Dimensional Structures and Devices ; 401-405

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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