Photoluminescence studies of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers: Fid-Bau Portal

Photoluminescence studies of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers

Shu, G. W. / Wang, J. S. / Shen, J. L. / Hsiao, R. S. / Chen, J. F. / Lin, T. Y. / Wu, C. H. / Huang, Y. H. / Yang, T. N.

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Titel:

Photoluminescence studies of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers

Beteiligte:

Shu, G. W. (Autor:in) / Wang, J. S. (Autor:in) / Shen, J. L. (Autor:in) / Hsiao, R. S. (Autor:in) / Chen, J. F. (Autor:in) / Lin, T. Y. (Autor:in) / Wu, C. H. (Autor:in) / Huang, Y. H. (Autor:in) / Yang, T. N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 166 ; 46-49

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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