Erbium Doping to P-Based III-V Semiconductors by OMVPE with TSP as a Non-Toxic P Source: Fid-Bau Portal

Erbium Doping to P-Based III-V Semiconductors by OMVPE with TSP as a Non-Toxic P Source

Fujiwara, Y. / Ito, Y. / Nonogaki, Y. / Matsubara, N. / Fujita, K. / Takeda, Y.

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Titel:

Erbium Doping to P-Based III-V Semiconductors by OMVPE with TSP as a Non-Toxic P Source

Beteiligte:

Fujiwara, Y. (Autor:in) / Ito, Y. (Autor:in) / Nonogaki, Y. (Autor:in) / Matsubara, N. (Autor:in) / Fujita, K. (Autor:in) / Takeda, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 621-626

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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